稳压二极管供应商

晶体二极管分类如下：键型二极管，键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。4、扩散型二极管，在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。较近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。二极管还具有稳压作用，可以稳定电路中的电压波动。稳压二极管供应商

雪崩二极管，雪崩二极管的英文名称为Avalanche diode，它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时，PN结被反向击穿，载流子倍增就像雪崩一样，反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿，从而阻止电流集中到某一点，通常做为安全阀使用，用于控制系统压力和保护电路系统。雪崩二极管通常在高压电路中使用，对安装的空间要求不高，因此多数是插针的封装形式，原理图、PCB封装和普通二极管相同。稳压二极管供应商在设计电路时，应充分考虑二极管的温度特性和工作条件，以确保其正常工作。

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～0.4V。种类：依照材料及发展年代分类：二极真空管；锗二极管；硒二极管；硅二极管；砷化镓二极管。依照应用及特性分类：PN结二极管（PN Diode），施加正向偏置，利用半导体中PN接合的整流性质，是较基本的半导体二极管，常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。

正向偏置（Forward Bias），二极管的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为正向偏置。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入空穴。这样一来，让多数载流子过剩，耗尽层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随着偏置的增加也急遽地增加。伴随着电子与空穴的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压，特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。二极管的主要作用之一是整流，将交流电转换为直流电。

二极管反向区也分两个区域：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4 V～7 V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。二极管具有快速开关特性，适用于高频电路。合肥二极管价位

二极管可用于整流、信号检测、保护电路等方面。稳压二极管供应商

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘s Whisker” Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”）。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。稳压二极管供应商