二极管概述,二极管,(英语:Diode),电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结,关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体:指不含任何掺杂元素的半导体,如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体:掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体,如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时,就产生一个独特的PN结界面,在界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。二极管是一种电子器件,具有正向导、反向截止的特性。续流二极管供应
频率倍增用二极管,频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode,对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间TRR短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间明显的短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因TT(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。中山半导体二极管制造商正向偏置时,二极管内部的PN结被击穿,形成低电阻通道。
快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes,简称FRD,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同,原理图和PCB库的参照整流二极管。
PIN二极管(P-intrinsic-N Diode),PN之间一层高电阻的半导体层,使少数载流子的积蓄效果增加,逆回复时间也较长。利用正向偏置时高频率信号较容易通过的性质,用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管,应用于低功率微波振荡器。二极真空管,气体放电管整流器,针状电极和平板电极相向接近顶端放电。若把针状电极当做负极,比较低的电压就会开始放电。利用这样的性质来做当作整流器。点接触二极管,用钨之类的金属针状电极与N型半导体的表面接触,此构造的特征是寄生电容非常小。采用于锗质二极管和 耿效应二极管 。矿石收音机中使用的 矿石检波器 ( 日语 : 鉱石検波器 ) 也是一种点接触二极管。二极管工作在导通和截止状态时呈现不同的电阻特性。
半导体二极管的非线性电流-电压特性,可以根据选择不同的半导体材料和掺杂不同的杂质从而形成杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外,还有很多其他的功能,如:用来调节电压(齐纳二极管),限制高电压从而保护电路(雪崩二极管),无线电调谐(变容二极管),产生射频振荡(隧道二极管、耿氏二极管、IMPATT二极管)以及产生光(发光二极管)。半导体二极管中,有利用P型和N型两种半导体接合面的PN结效应,也有利用金属与半导体接合产生的肖特基效应达到整流作用的类型。若是PN结型的二极管,在P型侧就是阳极,N型侧则是阴极。反向偏置时,PN结的耗尽区增大,导致电流截止。快恢复二极管尺寸
二极管能够实现信号放大、信号检测和波形整形等功能。续流二极管供应
二极管是电路中经常用的一种电子元器件看,它的英文名称是Diode,又称晶体二极管,是用P型和N型半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。二极管引脚是有正负极性区分的,A(Anode)表示正极,K(Cathode,C的发音为[K])表示负极,在负极的方向会有丝印标记,称为阴极线。续流二极管供应
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