杭州金属三极管

三极管的分类：晶体三极管按材料分类：锗管和硅管。晶体三极管按工作频率分类：小于3MHz为低频;3MHz。晶体三极管按输出功率分类：小于1W为小功率管;1W。晶体三极管按结构分类：NPN型和PNP型，区分两种三极管的关键是看发射极的箭头指向。NPN型三极管： 由两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。PNP型三极管： 由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管，也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。在设计电路时，合理利用三极管的特性，能够实现信号的整形、滤波等复杂功能。杭州金属三极管

三极管的种类：1）低频小功率三极管，特征频率在3MHz以下，功率小于1W，一般作为小信号放大用；2）高频小功率三极管，特征频率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高频振荡、放大电路；3）低频大功率三极管，特征频率小于3MHz，功率大于1W，低频大功率三极管品种较多，主要用于电子音响设备的低频功率放大电路，在各种大电流输出稳压电源中作为调整管。4）高频大功率三极管，特征频率大于3MHz，功率大于1W，主要用于通信等设备中进行功率驱动、放大；杭州金属三极管在使用三极管时，需要注意其工作环境的温度和湿度，避免影响其性能和寿命。

三极管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应，这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革，在晶体管电子流出端的衬底外，沉积一层对应材料，当电子流过时，需要从衬底吸入热量，这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径，因为带走的热量会与电流的大小成正比例，业内也称为“电子血液”散热技术。晶体管促进并带来了“固态革新”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业，由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。

三极管的作用：扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合，就可得到一只大功率可控硅，其较大输出电流由大功率三极管的特性决定，见附图9(a)。图9(b)为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用，将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样，可浮置工作，适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少、制作经济方便的优点，但由于稳压二极管稳定电流一般只有数十毫安，因而决定了它只能用在负载电流不太大的场合。图9(c)可使原稳压二极管的稳定电流及动态电阻范围得到较大的扩展，稳定性能可得到较大的改善。三极管可以用作开关，通过控制输入信号的变化，实现电路的开关功能。

三极管的参数，三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。直流参数：a.集电极—基极反向饱和电流Icbo集电极—基极反向饱和电流是指发射极开路时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Ucb时的集电极反向电流。b.集电极—发射极反向电流Iceo集电极—发射极反向电流也称穿透电流，是指基极开路时，集电极和发射极之间加上规定电压Vce时的集电极电流。c.发射极—基极反向电流Iebo发射极—基极反向电流是指集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。d.直流电流放大系数（或hFE）直流电流放大系数是指采用共发射极接法，没有交流信号输入时，集电极的直流电流与基极的直流电流的比值。三极管工作时应注意功耗和热量散发问题，避免过热损坏。杭州金属三极管

三极管的封装形式多样，常见的有TO-92、TO-220等。杭州金属三极管

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管的分类：a.按频率分：高频管和低频管；b.按功率分：小功率管，中等功率管和的功率管；c.按机构分：PNP管和NPN管；d.按材质分：硅管和锗管；e.按功能分：开关管和放大。杭州金属三极管