P沟道场效应管测量方法

漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等，靠近源极一端的电压较大，这里沟道较厚，而漏极一端电压较小，其值为VGD=vGS－vDS，因而这里沟道较薄。但当vDS较小（vDS 随着vDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)时，沟道在漏极一端出现预夹断，如图2(b)所示。再继续增大vDS，夹断点将向源极方向移动，如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区，故iD几乎不随vDS增大而增加，管子进入饱和区，iD几乎只由vGS决定。场效应管可以用作放大器，可以放大输入信号的幅度。P沟道场效应管测量方法

场效应管与晶体管的比较：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。双栅极场效应管供应商场效应管的体积小，适合集成在微型电子设备中。

场效应管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）三个主要部分组成。在JFET中，栅极和通道之间通过PN结隔离；而在MOSFET中，栅极和通道之间由一层绝缘材料（通常是二氧化硅）隔离。当在栅极施加适当的电压时，会在栅极下方的半导体中形成一个导电沟道，从而控制漏极和源极之间的电流流动。主要参数阈值电压（Vth）：使场效应管开始导电的较小栅极电压。阈值电压是场效应管从截止区（Cutoff Region）过渡到饱和区（Saturation Region）的临界电压。当栅极-源极电压（VGS）低于Vth时，场效应管处于关闭状态，通道不导电；当VGS超过Vth时，通道形成，电流开始流动。

MOS管发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的较忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于较大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。JFET是一种可用作功率放大器或开关的场效应管。

内置MOSFET的IC当然 不用我们再考虑了，一般大于1A电流会考虑外置MOSFET.为了获得到更大、更灵活的LED功率能力，外置MOSFET是独一的选择方式，IC需要合适 的驱动能力,MOSFET输入电容是关键的参数。下图Cgd和Cgs是MOSFET等效结电容。一般IC的PWM OUT输出内部集成了限流电阻，具体数值大小同IC的峰值驱动输出能力有关，可以近似认为R=Vcc/Ipeak.一般结合IC驱动能力 Rg选择在10-20Ω左右。一般的应用中IC的驱动可以直接驱动MOSFET，但是考虑到通常驱动走线不是直线，感量可能会更大,并且为了防止外部干扰，还是要使用Rg驱动电阻进行抑制.考虑到走线分布电容的影响,这个电阻要尽量靠近MOSFET的栅极。在使用场效应管时，应避免过流和过压情况，以免损坏器件或影响电路性能。P沟道场效应管测量方法

场效应管的表示特性是输入电阻高、输入电容小、开关速度快和功耗低。P沟道场效应管测量方法

场效应管注意事项：（1）结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。（2）焊接时，电烙铁外壳必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时，要按源极－漏极－栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。（3）用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。P沟道场效应管测量方法