南京VMOS场效应管定制

场效应管主要参数：1、开启电压，开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。2、跨导，跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才能，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gm是权衡场效应管放大才能的重要参数。3、漏源击穿电压，漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能接受的较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。4、较大耗散功率，较大耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。5、较大漏源电流，较大漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许经过的较大电流。场效应管的工作电流不应超越IDSM。场效应管的表示特性是输入电阻高、输入电容小、开关速度快和功耗低。南京VMOS场效应管定制

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。南京VMOS场效应管定制场效应管可通过控制栅极电压来调节输出电流，具有较好的线性特性。

场效应管的分类：场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。它们由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。我们常说的MOS管就是绝缘栅型场效应管中的一种，它也是应用较普遍的一种，所以这一节接下的内容我们主要通过介绍MOS管来了解场效应晶体管。MOSFET有分为增强型和耗尽型两大类，增强型和耗尽型每一类又有NMOS和PMOS，和三极管中的PNP和NPN类似。

场效应管与双极性晶体管的比较：1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。2.场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。3.场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。4.场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。场效应管的工作原理是利用电荷的寄主控制电流流动，具有与电阻不同的工作方式。

电压和电流的选择。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不 会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的较大电压，即较大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机 或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的较大电流，只需直接选择能承受这个较大电流的器件便可。场效应管具有低噪声、低功耗的特点，适用于需要高灵敏度和低功耗的电子设备中。上海高稳定场效应管价位

使用场效应管时需注意静电防护，防止损坏敏感的栅极。南京VMOS场效应管定制

组成，FET由各种半导体构成，目前硅是较常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。我们知道三极管全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制型半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。南京VMOS场效应管定制