南通BGA封装工艺

SiP的未来趋势和事例。人们可以将SiP总结为由一个衬底组成，在该衬底上将多个芯片与无源元件组合以创建一个完整的功能单独封装，只需从外部连接到该封装即可创建所需的产品。由于由此产生的尺寸减小和紧密集成，SiP在MP3播放器和智能手机等空间受限的设备中非常受欢迎。另一方面，如果只要有一个组件有缺陷，整个系统就会变得无法正常工作，从而导致制造良率下降。尽管如此，推动SiP更多开发和生产的主要驱动力是早期的可穿戴设备，移动设备和物联网设备市场。在当前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其数量低于成熟的企业和消费类SoC市场。一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。南通BGA封装工艺

什么情况下采用SIP ?当产品功能越来越多，同时电路板空间布局受限，无法再设计更多元件和电路时，设计者会将此PCB板功能连带各种有源或无源元件集成在一种IC芯片上，以完成对整个产品的设计，即SIP应用。SIP优点：1、尺寸小，在相同的功能上，SIP模组将多种芯片集成在一起，相对单独封装的IC更能节省PCB的空间。2、时间快，SIP模组板身是一个系统或子系统，用在更大的系统中，调试阶段能更快的完成预测及预审。7、简化物流管理，SIP模组能够减少仓库备料的项目及数量，简化生产的步骤。南通BGA封装工艺随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。

SiP技术特点：制造工艺，SiP的制造涉及多种工艺，包括：基板技术：提供电气连接和物理支持的基板，可以是有机材料（如PCB）或无机材料（如硅、陶瓷）。芯片堆叠：通过垂直堆叠芯片来节省空间，可能使用通过硅孔（TSV）技术来实现内部连接。焊接和键合：使用焊球、金线键合或铜线键合等技术来实现芯片之间的电气连接。封装：较终的SiP模块可能采用BGA（球栅阵列）、CSP（芯片尺寸封装）或其他封装形式。SiP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。

除了2D和3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SiP的范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是SiP的概念，达到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合，并可按照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。SiP技术路线表明，越来越多的半导体芯片和封装将彼此堆叠，以实现更深层次的3D封装。图2.19 是8芯片堆叠SiP，将现有多芯片封装结合在一个堆叠中。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。现在用于生产200mm和300mm微晶片的焊接设备可处理厚度为50um的晶片，因此允许更密集地堆叠芯片。固晶贴片机（Die bonder），是封装过程中的芯片贴装（Die attach）的主要设备。

植入锡球的BGA封装：① 植球，焊锡球用于高可靠性产品（汽车电子）等的倒装芯片连接，使用的锡球大多为普通的共晶锡料。植入锡球的BGA封装，工艺流程：使用焊锡球吸附夹具对焊锡球进行真空吸附，该夹具将封装引脚的位置与装有焊锡球的槽对齐，通过在预先涂有助焊剂的封装基板的引脚位置植入锡球来实现。SIP：1、定义，SIP（System In Package）是将具有各种特定功能的LSI封装到一个封装中。而系统LSI是将单一的SoC（System on Chip）集成到一个芯片中。2、Sip封装类型：① 通过引线缝合的芯片叠层封装，② 充分利用倒装焊技术的3D封装。SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中。南通BGA封装工艺

构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。南通BGA封装工艺

SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。根据ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）的定义：系统级封装是多个具有不同功能的有源电子元件的组合，组装在一个单元中，提供与系统或子系统相关的多种功能。一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。采用堆叠的3D技术可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力；而其内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用倒装键合（Flip chip），也可二者混用。南通BGA封装工艺