湖南陶瓷封装价位

SiP 封装种类，SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术、超薄晶圆键合技术、硅通孔（TSV）技术以及芯片倒装（Flip Chip）技术等。 封装结构复杂形式多样。SiP几种分类形式，从上面也可以看到SiP是先进的封装技术和表面组装技术的融合。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。由于2D封装无法满足系统的复杂性，必须充分利用垂直方向来进一步扩展系统集成度，故3D成为实现小尺寸高集成度封装的主流技术。消费电子目前SiP在电子产品里应用越来越多，尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等消费电子领域。湖南陶瓷封装价位

Sip这种创新性的系统级封装不只大幅降低了PCB的使用面积，同时减少了对外围器件的依赖。更为重要的是，SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗，使得电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能表现。据Yole报告，2022年，SiP系统级封装市场总收入达到212亿美元。受5G、人工智能、高性能计算、自动驾驶和物联网等细分市场的异构集成、芯粒、封装尺寸和成本优化等趋势的推动，预计到2028年，SiP系统级封装市场总收入将达到338亿美元，年复合增长率为8.1%。FPGA SIP封装市场价格预计到2028年，SiP系统级封装市场总收入将达到338亿美元，年复合增长率为8.1%。

系统级封装的优势，SiP和SoC之间的主要区别在于，SoC 将所需的每个组件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用异构组件并将它们连接到一个或多个芯片载波封装中。例如，SoC将CPU，GPU，内存接口，HDD和USB连接，RAM / ROM和/或其控制器集成到单个芯片上，然后将其封装到单个芯片中。相比之下，等效的SiP将采用来自不同工艺节点（CMOS，SiGe，功率器件）的单独芯片，将它们连接并组合成单个封装到单个基板（PCB）上。考虑到这一点，很容易看出，与类似的SoC相比，SiP的集成度较低，因此SiP的采用速度很慢。然而，较近，2.5D 和 3D IC、倒装芯片技术和封装技术的进步为使用 SiP 提供的可能性提供了新的视角。有几个主要因素推动了当前用SiP取代SoC的趋势：

元件密集化，Chip元件密集化，随着SIP元件的推广，SIP封装所需元件数量和种类越来越多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。贴片精度高精化，SIP板身元件尺寸小，密度高，数量多，传统贴片机配置难以满足其贴片要求，因此需要精度更高的贴片设备，才能满足其工艺要求。工艺要求越来越趋于极限化，SIP工艺板身就是系统集成化的结晶，但是随着元件小型化和布局的密集化程度越来越高，势必度传统工艺提出挑战，印刷，贴片，回流面临前所未有的工艺挑战，因此需要工艺管控界限向着6 Sigma靠近，以提高良率。SIP模组板身是一个系统或子系统，用在更大的系统中，调试阶段能更快的完成预测及预审。

SiP系统级封装需求主要包括以下几个方面：1、精度：先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。因此，固晶设备需要具备高精度的定位和控制能力，以确保每个芯片都能准确地放置在预定的位置上。2、速度：先进封装的生产效率对于封装成本和产品竞争力有着重要影响。因此，固晶设备需要具备高速度的生产能力，以提高生产效率并降低成本。3、良品率：先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。因此，固晶设备需要具备高良品率的生产能力，以确保封装的质量和可靠性。从某种程度上说：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和组件）。FPGA SIP封装市场价格

Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。湖南陶瓷封装价位

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。湖南陶瓷封装价位