肇庆半导体二极管定制

工作原理：晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。二极管可用于电源、信号处理等领域，具有普遍的应用。肇庆半导体二极管定制

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。肇庆半导体二极管定制二极管的原理是基于PN结的特性，其中P区富含正电荷，N区富含负电荷。

阻尼二极管，阻尼二极管英文名称为Damping diode，它具有较高的反向工作电压和峰值电流，较小的正向压降，高频高压整流二极管，可用作电视线路扫描电路中的阻尼和升压整流器。阻尼二极管主要用于黑白或彩电线路扫描电路的阻尼、整流电路，可以是硅二极管或锗二极管。它具有类似于高频高压整流二极管的特性。它的反向恢复时间很短，能够承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。它可以工作在高频(线路频率)，并具有较低的正向压降。

二极管特性及参数：1、二极管伏安特性，导通后分电压值约为 0.7 V（硅管）或0.3V（锗管）（LED 约为 1-2 V，电流 5-20 mA）。反向不导通，但如果达到反向击穿电压，那将导通（超过反向较大电压可能烧坏）。正向电压很小时不导通（0.5 V 以上时才导通）。2、主要参数：较大整流电流 I_FIF： 表示长期运行允许的较大正向平均电流，超出可能因结温过高烧坏。较高反向工作电压 U_RUR：允许施加的较大反向电压，超出可能击穿。（U_RUR 通常为击穿电压的一半）。反向电流 I_RIR： 未击穿时的反向电流，越小导电性越好。较高工作频率 f_MfM： 上线截止频率。因结电容作用，超出可能不能很好体现的单向导电性。二极管在保护电路中扮演着重要角色，能有效防止电路过压或过流。

在较初被发明的那个年代，二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后，威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ，是从希腊语词根（ δί ，di，“二”）和（ ὁδός ，ode，“路径”）两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用，但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全波整流”设备；或者是阴极射线管所需的高压电续流二极管。热离子二极管，一个热离子二极管就是一个真空管（也称“电子管”），由一个包含着两个电极的密封真空玻璃壳组成：由灯丝加热的阴极，和一个阳极。早期产品的外观和现在的白炽灯泡相当类似。二极管技术不断发展，涌现出多种类型和应用领域，为电子工程师提供更多选择。肇庆半导体二极管定制

二极管还可以用于信号放大和频率变换等电路，提高电路的性能。肇庆半导体二极管定制

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通二极管（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。肇庆半导体二极管定制