珠海超频三极管参考价

三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基础的)，其他的两个电极分别称为集电极(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和发射极(用字母E表示—— E取自英文Emitter，发射)。基区和发射区之间的结成为发射结，基区和集电区之间的结成为集电结。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。开关三极管可以用于实现数字逻辑门、计时器和脉冲发生器等电子电路。珠海超频三极管参考价

三极管三种工作状态电流特征，三极管有三种工作状态：截止、放大、饱和。用于不同目的的三极管其工作状态不同。三极管电流方向识别，三极管电路符号中发射箭头的方向表示三极管各电极电流流动的方向。什么是三极管，三极管（Transistor），是一种用于信号放大、开关、调制的半导体器件。它由两个PN结组成，通常用硅、锗两种材料制成。相对于电子管，它存在体积小、无需加热就能工作、寿命长、功耗低等优点，因此被普遍应用于电子领域。无锡半导体三极管批发价格三极管的价格相对较低，且易于采购，使得三极管在电子制造领域具有普遍的应用前景。

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来。电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法：黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。

晶体三极管的种类：硅管和锗管（按半导体材料分），锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。在设计电路时，合理利用三极管的特性，能够实现信号的整形、滤波等复杂功能。

三极管的介绍：主要参数：1 电流放大系数： ⑴直流电流放大系数； ⑵交流电流放大系数； ⑶共基极电流放大系数。2 频率特性参数： ⑴共基极截止频率fa； ⑵共发射极截止频率fb； ⑶特性频率ft； ⑷较高振荡频率fm；3 极间反向电流： ⑴集电极－基极反向截止电流ICEO； ⑵集电极－发射极反向截止电流ICBO；4 极限参数： ⑴集电极－发射极反向击穿电压V（BR）CEO（BVCEO）； ⑵集电极－基极反向击穿电压V（BR）CBO（BVCBO）； ⑶发射极－基极反向击穿电压V（BR）EBO（BVEBO）；⑷集电极较大允许电流ICM； ⑸集电极较大允许耗散功率PCM。三极管的输出电阻较低，可以提供较大的输出功率。南京NPN三极管加工

在高频电路中，需要考虑电容效应和布线的影响，以保证电路能。珠海超频三极管参考价

三极管的性质以NPN三极管为例：电流： 从基极B出来的电子和从集电极C出来的电子较终都会回到发射极E，当作注入电子。即IE=IB+IC。UBE： 当基极与发射极间电压UBE<0.7V时，基极B和集电极C几乎没有电流，IB=0，IC=0。UBE>0.7V时，IB激增，但是IB相对于IC来说还是很小。IC： 当UC的值低于0.7V时，集电极C和基极B的PN结正偏，此时IC会随着UCE的减小而减小。截止区： 当UBE<0.7V时截止，此时IB≈IC=0，C极电阻没有压降，所以UCE达到较大值3V。放大区： UBE≈0.7V且βIB。饱和区： UBE≈0.7V且βIB>ICmax，由于C极电流不可能高于3mA，所以IC保持在较大3mA不能再升高，UCE=0。珠海超频三极管参考价