早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。正向性,外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。二极管还可以用于信号放大和频率变换等电路,提高电路的性能。珠海激光二极管厂家精选

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。珠海激光二极管厂家精选使用二极管时应注意极性正确,避免反向击穿和热失效现象。

正向偏置(Forward Bias),二极管的阳极侧施加正电压,阴极侧施加负电压,这样就称为正向偏置,所加电压为正向偏置。如此N型半导体被注入电子,P型半导体被注入空穴。这样一来,让多数载流子过剩,耗尽层缩小、消灭,正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看,电子从阴极流向阳极(电流则是由阳极流向阴极)。在这个区域,电流随着偏置的增加也急遽地增加。伴随着电子与空穴的再结合,两者所带有的能量转变为热(和光)的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压,特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。
半导体二极管的参数介绍如下:1、反向电流IR:指管子末击穿时的反向电流, 其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。3、动态电阻rd:反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,rd与工作电流的大小有关,即:rd=△VD/△ID。4、极间电容CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。正确安装和调试二极管,可以确保电路的稳定运行和延长器件的使用寿命。

二极管的伏安特性,外加电压P->N,大于势垒电压,二极管导通;外加电压N->P,大于反向击穿电压,二极管击穿。二极管的相关应用:1整流,整流,就是把交流电变为直流电的过程。利用具有单向导电特性的器件,可以把方向和大小交变的电流变换为直流电。(1)半波整流电路;(2)全波整流电路。需要特别指出的是,二极管作为整流元件,要根据不同的整流方式和负载大小加以选择。如选择不当,则或者不能安全工作,甚至烧了管子;或者大材小用,造成浪费。二极管在电子行业中普遍应用,是现代电子设备不可或缺的组成部分。珠海激光二极管厂家精选
双向二极管适用于双向传输电流的场合,具有正向和反向导电能力。珠海激光二极管厂家精选
半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下:1、较大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV, 而反向击穿电压实际上大于40V。珠海激光二极管厂家精选