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    载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。 早期的二极管包含“猫须晶体（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英国称为“热游离阀。青海艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30100CT30A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30150CT30A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30200CT30A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045PT30A,45V,TO-247TO-3PMBR3060PT30A,60V,TO-247TO-3PMBR30100PT30A,100VTO-247、TO-3PMBR30150PT30A,150VTO-247、TO-3PMBR30200PT30A,200VTO-247、TO-3PMBR4045PT40A,45VTO-247、TO-3PMBR4060PT40A,60VTO-247、TO-3PMBR40100PT40A,100VTO-247、TO-3PMBR40150PT40A,150VTO-247、TO-3PMBR40200PT40A,200VTO-247、TO-3PMBR6045PT60A,45VTO-247、TO-3PMBR6060PT60A,60VTO-247、TO-3PMBR60100PT60A。 浙江艾赛斯IXYS二极管模块厂家电话甲半导体二极管，常用的类型的，是一个晶体具有连接到两个电气端子的pn结的半导体材料。

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。

    可得如下图(b)所示二极管反向电流、电压关系特性。在上图(b)所示反向特性中，当反向电压不超过一定范围(曲线OB段)时，反向电流十分微小并随电压增加而基本不变。小功率硅二极管的反向电流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不计。当反向电压增加到一定数值时，反向电流将急剧增加，称为反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。普通二极管被击穿后，PN结不能恢复原有的性能，造成长久性损坏。综上所述，二极管具有在正向偏置电压下导通，反向偏置电压下截止的特性，这个特性称为单向导电性。[编辑]二极管的主要参数二极管的参数是评价二极管性能的重要指标，是正确选择和使用二极管的依据，主要参数有：(1)大整流电流IFM指二极管长期工作时，允许通过二极管的大正向电流的平均值。当实际电流超过该值时，二极管会因过热而损坏。(2)高反向工作电压URM指保证二极管不被击穿所允许施加的大反向电压。实际使用中二极管反向电压不应超过此电压值，以防发生反向击穿。(3)反向电流IR指二极管加反向电压而未击穿时的反向电流。如果该值较大，是不能正常使用的。反向电流愈小，二极管单向导电性愈好。 面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的。

    常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"?SCHOTTKY:取第1个字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的缩写，意为：表面贴装器件，取第1个字母"S",上面两个词组各取第1个字母、即为SS,电流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；电流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A的必定是模块。肖特基的高电压是200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V电压的也必定是模块。电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。10A、20A、30A规格的有做到200V电压。除此外，都没有200V电压规格。常见贴片封装的肖特基型号BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23—MBR0520L、MBR0540:SOD-123—SS12、SS14:DO-214AC（SMA）—1ASL12、SL14:DO-214AC（SMA）—1ASK22:SK24:DO-214AA（SMB）—2ASK32:SK34:DO-214AB（SMC）—3AMBRD320、MBRD360:TO-252—3AMBRD620CT、MBRD660CT:TO-252—6AMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）—10AMBRB4045CT:TO-263（D2PAK）—40A常见插件封装的肖特基型号MBR150、MBR160:DO-41,轴向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），轴向，DO-411N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），轴向。 真空二极管和半导体二极管都可以用作散粒噪声发生器。安徽代理艾赛斯IXYS二极管模块销售

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。青海艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源

    并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流(不超过几十毫安)，适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流。 青海艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源