企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

肖特基二极管,肖特基二极管也被称为热载流子二极管,英文名称为Schottky Barrier Diode,它是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。当电流流过肖特基二极管时,肖特基二极管端子上有一个小的电压降。普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间,而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间,这种较低的电压降提供了更好的系统效率和更高的开关速度。在肖特基二极管中,半导体和金属之间形成了一个半导体-金属结,从而形成了肖特基势垒。N型半导体作为阴极,金属侧作为二极管的阳极,这种肖特基势垒导致低正向电压降和非常快速的开关。肖特基二极管具有正向导通压降低、恢复时间快、低接电容、低噪音、高电流密度等优点,在高速开关电路中有普遍的应用。肖特基二极管的原理图和PCB库如下图所示。二极管于PN结的半导体材构成,通过控制电场分布实现流的单向导通。珠海光电二极管制造

珠海光电二极管制造,二极管

二极管的反向性,外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。击穿,外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。江门有机发光二极管作用氮化镓二极管使用于高温、高频、高电压和高功率的应用场合,具有较高的工作效率。

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功能,二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用,通常称之为“整流”功能。在真空管内,借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极,因而有整流的作用。将交流电转变为脉动直流电,包括无线电接收器对无线电信号的调制,都是通过整流来完成的。因为其顺向流通反向阻断的特点,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上,二极管并不会表现出如此完美的开关性,而是呈现出较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。一般来说,只有在正向超过障壁电压时,二极管才会工作(此状态被称为正向偏置) 。一个正向偏置的二极管两端的电压降变化只与电流有一点关系,并且是温度的函数。因此这一特性可用于温度传感器或参考电压。

二极管的诞生得益于半导体技术,从原理上讲它涉及到微观电子学,所以它的底层原理是比较复杂的,但我们实际运用时主要在于根据我们电路的特点选择合适的二极管型号,所以底层原理这里没有说明,之后在实际电子设计中再将进一步了解。你是否还记得,很多时候你妈妈兴冲冲的走到你面前,眉飞色舞的要和你说点啥,可是话到嘴边却给忘了!然后她会拍拍脑袋尴尬的说:我这二极管又短路了,虽然她老人家大概率不知道二极管到底是个啥,有什么作用,但是还是很自然的用二极管短路表达了当前的窘境。因为其他老头老太太碰到这个情况都是这样说的,而且大家都能心领神会!而你也一定会会心的一笑,表示理解和认同。不好意思忘了,可是,你真的了解妈妈口中的二极管吗?如果不了解,或者一知半解,这里我们就一起来聊一聊关于二极管的前世今生和功能作用吧!二极管具有快速响应速度和较小的尺优势,适用于高频电路。

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二极管,二极管的主要功能就是单向导电,也就是电流只能从二极管的一个方向通过,反向电流就不让过!在我们日常生活中也有类似功能的物品,比如我们小时候经常见到的鱼篓盖子,通过这个盖子只能放鱼进去,鱼却无法再跑出来!也许您会说我从小就在城市里长大,没看到过鱼篓,不知道长啥样。没有关系,我这就把鱼篓的图片发出来,保证你能看明白。鱼篓和鱼篓盖子,这个盖子的功能就和我们这里要说的二极管颇为相似。只是各自单向通过的东西不一样而已:二极管阻碍电流反向通过,鱼篓盖子阻止鱼儿从里面跑出来!反向偏置时,PN结的耗尽区增大,导致电流截止。珠海光电二极管制造

快恢复二极管在开关电源中应用普遍,具有快速恢复、低反向峰值电流和低反向漏电流等特点。珠海光电二极管制造

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿,另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。珠海光电二极管制造

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