肇庆半导体场效应管厂家直销

场效应管的分类：场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。它们由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。我们常说的MOS管就是绝缘栅型场效应管中的一种，它也是应用较普遍的一种，所以这一节接下的内容我们主要通过介绍MOS管来了解场效应晶体管。MOSFET有分为增强型和耗尽型两大类，增强型和耗尽型每一类又有NMOS和PMOS，和三极管中的PNP和NPN类似。在放大电路中，场效应管可以起到线性放大的作用，输出的信号与输入信号成正比。肇庆半导体场效应管厂家直销

场效应管产品特性：(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。电气特性：场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：贴片场效应管：1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。肇庆P沟道场效应管哪家好MOSFET是最常见的场效应管，其优势在于高输入电阻和低功耗。

MOSFET的特性和作用：MOS管导作用，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目前在市场应用方面，排名头一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。

SOA失效的预防措施：1：确保在较差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。2：将OCP功能一定要做精确细致。在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影响呢，我们看下面FLYBACK电流波形图（图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看）。电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。场效应管在高频电路中表现出色，能够保持较低的失真和较高的效率。

导通电阻（R_DS(on)）：场效应管导通时的漏极与源极之间的电阻。它决定了电流通过器件时的压降和功耗，较小的导通电阻意味着较低的功耗和较高的电流驱动能力。较大漏极电流（I_D(max)）：场效应管能够承受的较大电流，超过这个电流值可能会导致器件过热、性能退化甚至长久损坏。较大漏极-源极电压（V_DS(max)）：场效应管能够承受的较大电压。超过这个电压值可能会导致场效应管的击穿、热损伤或其他形式的损坏。栅极电容（C_iss）：栅极与漏极之间的输入电容。它影响了信号的传输速度和开关过程中的电荷存储。场效应管分为MOSFET和JFET两种类型，应用普遍。肇庆P沟道场效应管哪家好

场效应管是一种半导体器件，可以控制电流的流动。肇庆半导体场效应管厂家直销

导电沟道的形成：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。肇庆半导体场效应管厂家直销