马鞍山晶体三极管

晶体三极管的种类：硅管和锗管（按半导体材料分），锗管比硅管的起始工工作电压低、饱和压降较低。三极管导通时，发射极和集电极的电压锗管比硅管更低。因为锗材料制成的PN结比硅材料制成的PN结的正向导通电压低，前者为0.2～0.3V，后者为0.6～0.7V。所以锗三极管在发射极和基极之间只有0.2～0.3V的电压，晶体管就开始工作。常用型号有：3AX系列的锗低频管、3AG系列的锗高频管、3AK系列的锗开关管、3AD系列的锗低频大功率管、3BX系列的锗低频管等。三极管具有噪声、高增益、频率响应宽等优势。马鞍山晶体三极管

三极管的构造，三极管有三个区域，分别被命名为发射结、基极和集电结。它的基本原理是利用半导体材料中P型和N型材料间的PN结和PNP结的特性来实现信号放大。三极管的白色瓷体上标注着三个触点，分别为发射极、基极和集电极。三极管的工作原理，三极管的工作原理很复杂，但可以简单概括为：当控制电极（基极）与一个电源或信号电压的接触面发生作用时，它会控制发射极和集电极的电流流向，从而实现对电流的控制和放大。具体的工作原理需要根据具体的三极管型号和电路来分析。复合三极管供应三极管作为信号放大器、逻辑门、振荡电路等中一种重要元件。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。

三极管工作原理：NPN型三极管的工作原理：我们以NPN型三极管为例，来讲解三极管的工作原理，如图3所示，为方便理解：以下正电子（空穴），负电子（自由电子）。（1）当NPN三极管b极没有电压输入时，由于三极管是两个背对背的PN结组成，即NP之间、PN之间建立了2个内电场，即使c极与e极之间有电压UC，但由于PN之间属于反偏，NP之间正偏却没有电流，所以c极与e之间就没有电流流过，三极管处于截止状态。（2）当基极电流到达一定程度，集电极电流不再升高。这时三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。此刻三极管处于饱和状态。三极管的放大倍数可以通过外部电路的设计来调节。

三极管的作用是什么？1、电流放大。这也是其较基本的作用。以共发射极接法为例，一旦由基极输入一个微小的电流，在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍，β被叫做三极管的电流放大系数。将输入的微弱信号扩大β倍后输出，这便是三极管的电流放大作用。2、用作开关。三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，其CE极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。对三极管的性能有定影响，需考虑温度漂移。马鞍山晶体三极管

使用三极管时应注意防静电，避免损坏敏感器件。马鞍山晶体三极管

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的主要元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管的分类：a.按频率分：高频管和低频管；b.按功率分：小功率管，中等功率管和的功率管；c.按机构分：PNP管和NPN管；d.按材质分：硅管和锗管；e.按功能分：开关管和放大。马鞍山晶体三极管