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英飞凌infineon整流桥模块基本参数
  • 品牌
  • 英飞凌
  • 型号
  • 整流桥模块
英飞凌infineon整流桥模块企业商机

    本实用新型涉及半导体器件领域,特别是涉及一种合封整流桥的封装结构及电源模组。背景技术:目前照明领域led驱动照明正在大规模代替节能灯的应用,由于用量十分巨大,对于成本的要求比较高。随着系统成本的一再降低,主流的拓扑架构基本已经定型,很难再从外圈节省某个元器件,同时芯片工艺的提升对于高压模拟电路来说成本节省有限,基本也压缩到了。目前的主流的小功率交流led驱动电源方案一般由整流桥、芯片(含功率mos器件)、高压续流二极管、电感、输入输出电容等元件组成,系统中至少有三个不同封装的芯片,导致芯片的封装成本高,基本上占到了芯片成本的一半左右,因此,如何节省封装成本,已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素:鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种合封整流桥的封装结构及电源模组,用于解决现有技术中芯片封装成本高的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种合封整流桥的封装结构,所述合封整流桥的封装结构至少包括:塑封体,设置于所述塑封体边缘的火线管脚、零线管脚、高压供电管脚、信号地管脚、漏极管脚、采样管脚。 一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路。北京英飞凌infineon整流桥模块厂家供应

英飞凌infineon整流桥模块

    所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上,接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain,采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs,高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构,将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内,由此降低封装成本。如图6所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:本实施例的合封整流桥的封装结构1,第四电容c4,变压器,二极管d,第五电容c5,负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图6所示,所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图6所示,所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。 吉林英飞凌infineon整流桥模块厂家供应整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。

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    所述第二插片为两个。推荐的,所述线圈架上设有供所述第二插接片插入的插接槽;通过设置插接槽便于对第二插片进行安装,第二插片插入到插接槽当中,插接槽的内壁对第二插片进行限位。推荐的,所述第二插片侧壁上设有电连凸部,所述整流桥堆一侧设有与所述电连凸部相连的凸出部。推荐的,所述整流桥堆另一侧设有与所述一插片相连的凸部。推荐的,所述线圈架上设有凹陷部,所述一插片设于所述凹陷部内;通过设置凹陷部可便于在安装一插片的时候,一插片直接嵌入到凹陷部当中,其安装速度快,装配稳定。推荐的,所述线圈架上部设有一限位凸部,下部设有第二限位凸部;所述一插片和第二插片均设于所述一限位凸部上;通过设置一限位凸部和第二限位凸部,其可便于绕设线圈。推荐的,所述一限位凸部上设有凹槽部,所述整流桥堆设于所述凹槽部内;通过设置凹槽部可便于对整流桥堆准确的进行安装,其具有定位效果。推荐的,所述电连凸部与所述凸出部焊锡或电阻焊连接;通过将电连凸部和凸出部之间进行电连,其两者连接牢固,电能传输稳定。综上所述,本实用新型的优点在于将整流桥堆内嵌到电磁阀中,实现了电磁阀自身的全波整流功能,从而降低了制造成本。

整流桥模块的作用是什么:整流桥模块的功能,是将由交流配电单元提供的交流电,变换成48V或者24V直流电输出到直流配电单元。采用谐振电压型双环控制的谐振开关电源技术,具有稳压精度高、动态响应快的特点。整流模块内置MCU,全智能控制,可实现单机或多机并联运行。模块可以带电热插拔,日常维护方便快捷。采用多级吸收,具有过压、欠压、短路、过流、过热等自动保护及自动恢复运行功能。散热条件的好坏,直接影响模块的可靠和安全。不同型号模块在其额定电流工作状态下,环境温度为40℃时所需散热器尺寸、风机的规格各不相同。全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。

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    负极连接所述高压续流二极管的负极;所述高压续流二极管的正极通过基岛或引线连接所述漏极管脚;所述逻辑电路的高压端口连接所述高压供电管脚。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,一电容,负载及一采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述一电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述负载连接于所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚与漏极管脚之间;所述一采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,第二电容,第三电容,一电感,负载及第二采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述第二电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述第三电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端经由所述一电感连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚。 常用的国产全桥有佑风YF系列,进口全桥有ST、IR等。广西进口英飞凌infineon整流桥模块货源充足

由于一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器,故可将其负载视为恒流源。北京英飞凌infineon整流桥模块厂家供应

    生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结—环境的热阻(Rja)和当元器件自带一散热器,通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻(Rjc)。2整流桥模块的结构特点1、铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而降低模块的接触热阻,保证模块的出力。2、DBC基板:它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成,它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性,并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4.2×10-6/℃,DBC为5.6×10-6/℃),因而可以与硅芯片直接焊接,从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时,DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形,以用作主电路端子和控制端子的焊接支架,并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘。 北京英飞凌infineon整流桥模块厂家供应

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河北代理英飞凌infineon整流桥模块厂家供应 2024-07-07

n型二极管的下层为n型掺杂区,上层为p型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝;第三整流二极管dz3及第四整流二极管dz4为p型二极管,p型二极管的下层为p型掺杂区,上层为n型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝。所述一整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。所述第三整流二极管dz3的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于信号地基岛14上,负极(金属铝层)通过金属引线连接...

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