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    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。 当外加电压等于零，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流处于电平衡状态。云南艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销

    二极管种类、作用、实物大全整流二极管二极管电路中，整流二极管的应用为常见。所谓整流二极管就是专门用于电源电路中将交流电转换成单向脉动直流电的二极管。快恢复整流二极管整流二极管-硅管整流二极管-三相整流桥整流二极管-汽车用整流二极管-汽车用整流二极管-雪崩管整流桥整流二极管-高频整流二极管-高频稳压二极管也称齐纳二极管，或称反向击穿二极管。稳压二极管与普通二极管特性不同，稳压二极管主要用来稳定直流工作电压，还可以用来对信号进行限幅发光二极管发光二极管简称LED，常用来指示电路的工作状态和各种信号。肖特基二极管肖特基二极管主要用于电路的整流和续流。广泛应用于开关电源，变频器，驱动器等电路。做高频，低压，大电流整流二极管，续流二极管，保护二极管使用，或在微波通信中做整流二极管，小信号检波二极管等。快恢复二极管（超快恢复二极管）快恢复二极管应用于开关电源，脉宽调制器（PWM），不间断电源（UPS），交流电动机变频调速（VVVF），高频加热等，作为高频，大电流的续流或整流二极管。恒流二极管恒流二极管能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。可用于稳定和限制电流。主要应用在低功率方面，例如恒流源。 宁夏代理艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。

    用于消除感性负载断电时产生的反向电动势。在感性的驱动电路都会用到此类二极管，如4148用于继电器驱动的电路，直流马达的驱动电路，电磁式蜂鸣器驱动电路。还可以用于限幅、钳位电路中去。4148用于继电器驱动的电路直流马达的驱动电路电磁式蜂鸣器驱动电路钳位电路稳压二极管又叫齐纳二极管，顾名思义就是用于稳压，稳压二极管有一个反向击穿特性，当二极管被反向电流击穿后，电流在很大范围内变化时，它的电压也会稳定在一定的范围内。此类二极管经常应用于稳压电路，如下图的D5，特别注意的是，反向电流值要达到一定大小，反向击穿后才会有稳压特性哦。很多工程师在设计电路时，发现明明用了稳压管了，怎么电压不对呢？这时候就要检查一下反向电流是不是已经达到规格要求了。稳压管应用电路一些低端的电源、功耗要求不高场合也经常用稳压管做稳压电路肖特基二极管此类二极管主要的特性是开频频率高，正向压降低，但它的反向耐压比较低，反向漏电流也比较大。经常用于续流电路和高频低压大电流的整流电路中，也常用作保护二极管。保护电路瞬变抑制二极管（TVS）由于其受大能量冲击时，内阻会瞬间变小，此类二极管常用于防止瞬间冲击、吸收浪涌、静电保护的保护电路中去。

    整流二极管一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中有极少量的自由电子。 它是一种具有单向传导电流的电子器件。

    可得如下图(b)所示二极管反向电流、电压关系特性。在上图(b)所示反向特性中，当反向电压不超过一定范围(曲线OB段)时，反向电流十分微小并随电压增加而基本不变。小功率硅二极管的反向电流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不计。当反向电压增加到一定数值时，反向电流将急剧增加，称为反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。普通二极管被击穿后，PN结不能恢复原有的性能，造成长久性损坏。综上所述，二极管具有在正向偏置电压下导通，反向偏置电压下截止的特性，这个特性称为单向导电性。[编辑]二极管的主要参数二极管的参数是评价二极管性能的重要指标，是正确选择和使用二极管的依据，主要参数有：(1)大整流电流IFM指二极管长期工作时，允许通过二极管的大正向电流的平均值。当实际电流超过该值时，二极管会因过热而损坏。(2)高反向工作电压URM指保证二极管不被击穿所允许施加的大反向电压。实际使用中二极管反向电压不应超过此电压值，以防发生反向击穿。(3)反向电流IR指二极管加反向电压而未击穿时的反向电流。如果该值较大，是不能正常使用的。反向电流愈小，二极管单向导电性愈好。 当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起漂移电流相等电平衡状态。辽宁进口艾赛斯IXYS二极管模块服务电话

可以通过选择半导体材料和制造过程中引入材料中的掺杂杂质来定制半导体二极管的电流-电压特性。云南艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销

    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 云南艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销