福建陶瓷封装型式

随着物联网时代越来越深入人心，不断的开发和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，减少批量要求和初始投资，并在系统简化方面呈现积极趋势。此外，制造越来越大的单片SoC的推动力开始在设计验证和可制造性方面遇到障碍，因为拥有更大的芯片会导致更大的故障概率，从而造成更大的硅晶圆损失。从IP方面来看，SiP是SoC的未来替代品，因为它们可以集成较新的标准和协议，而无需重新设计。此外，SiP方法允许更快、更节能的通信和电力输送，这是在考虑Si应用的长期前景时另一个令人鼓舞的因素。Sip这种创新性的系统级封装不只大幅降低了PCB的使用面积，同时减少了对外围器件的依赖。福建陶瓷封装型式

无须引线框架的BGA：1、定义，LSI芯片四周引出来的像蜈蚣脚一样的端子为引线框架，而BGA（Ball Grid Array）无须这种引线框架。2、意义：① 随着LSI向高集成度、高性能不断迈进，引脚数量不断增加（如DIP与QFP等引线框架类型的封装，较大引脚数、引脚间距、切筋使用的刀片厚度与精度均达到极限）；② 引线框架的引脚越小，弯曲问题就越严重，会严重妨碍后续线路板的安装，因此需要寻求不需要引线端子的封装，即BGA类型的封装（需在封装树脂底板上植球（焊锡球），以及分割封装的工序）。天津半导体芯片封装型式SiP封装为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。

3D主要有三种类型：埋置型、有源基板型、叠层型。其中叠层型是 当前普遍采用的封装形式。叠层型是在2D基础上，把多个裸芯片、封装芯片、多芯片组件甚至圆片进行垂直互连，构成立体叠层封装。可以通过三种方法实现：叠层裸芯片封装、封装堆叠直连和嵌入式3D封装。业界认定3D封装是扩展SiP应用的较佳方案，其中叠层裸芯片、封装堆叠、硅通孔互连等都是当前和将来3D封装的主流技术。并排放置（平面封装）的 SiP 是一种传统的多芯片模块封装形式，其中使用了引线键合或倒装芯片键合技术。

SiP主流的封装结构形式，SiP主流的封装形式有可为多芯片模块(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封装，2D封装中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封装中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D结构是将芯片与芯片直接堆叠，可采用引线键合、倒装芯片或二者混合的组装工艺，也可采用硅通孔技术进行互连。SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件。

由于物联网“智慧”设备的快速发展，业界对能够在更小的封装内实现更多功能的系统级封装 (SiP) 器件的需求高涨，这种需求将微型化趋势推向了更高的层次：使用更小的元件和更高的密度来进行组装。 无源元件尺寸已从 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 缩小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，细间距锡膏印刷对 SiP 的组装来说变得越来越有挑战性。 对使用不同助焊剂和不同颗粒尺寸锡粉的 3 种锡膏样本进行了研究； 同时通过比较使用平台和真空的板支撑系统，试验了是否可以单独使用平台支撑来获得一致性较好的印刷工艺；并比较了激光切割和电铸钢网在不同开孔尺寸下的印刷结果。在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。天津半导体芯片封装型式

随着SiP模块成本的降低，且制造工艺效率和成熟度的提高。福建陶瓷封装型式

基板的分类：封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。结构分类：刚性基板材料和柔性基板材料。增强材料分类：有有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）和复合系；基板的处理，基板表面处理方式主要有：热风整平、有机可焊性保护涂层、化学镍金、电镀金。化学镍金：化学镍金是采用金盐及催化剂在80~100℃的温度下通过化学反应析出金层的方法进行涂覆的，成本比电镀低，但是难以控制沉淀的金属厚度，表面硬并且平整度差，不适合作为采用引线键合工艺封装基板的表面处理方式。福建陶瓷封装型式