湖北模组封装供应

SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，诸如 MEMS 或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。这么看来，SiP 和 SoC 极为相似，两者的区别是什么？能较大限度地优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本、提高集成度。对比 SoC，SiP 具有灵活度高、集成度高、设计周期短、开发成本低、容易进入等特点。而 SoC 发展至今，除了面临诸如技术瓶颈高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生产良率低等技术挑战尚待克服外，现阶段 SoC 生产成本高，以及其所需研发时间过长等因素，都造成 SoC 的发展面临瓶颈，也造就 SiP 的发展方向再次受到普遍的讨论与看好。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。湖北模组封装供应

面对客户在系统级封装产品的设计需求，云茂电子具备完整的数据库，可在整体微小化的基础上，提供料件及设计的较佳解，接着开始进行电路布局(Layout) 与构装(Structure)设计。经过封装技术，将整体电路及子系统塑封在一个光「芯片」大小的模块。 高密度与高整合的模块化设计前期的模拟与验证特别至关重要，云茂电子提供包含载板设计和翘曲仿真、电源/讯号完整性分析(PI/SI)、热流模拟分析(Thermal)等服务确保模块设计质量。实验室内同时也已经为系统整合验证建置完整设备，协助客户进行模块打件至主板后的射频校准测试与通讯协议验证，并提供系统级功能性与可靠度验证。 浙江BGA封装厂家微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。

SIP工艺解析：引线键合，在塑料封装中使用的引线主要是金线，其直径一般0.025mm～0.032mm。引线的长度常在1.5mm～3mm之间，而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。键合技术有热压焊、热超声焊等。等离子清洗，清洗的重要作用之一是提高膜的附着力。等离子体处理后的基体表面，会留下一层含氯化物的灰色物质，可用溶液去掉。同时清洗也有利于改善表面黏着性。液态密封剂灌封，将已贴装好芯片并完成引线键合的框架带置于模具中，将塑封料的预成型块在预热炉中加热，并进行注塑。

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。从某种程度上说：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和组件）。

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通过将多个芯片或模块封装在一起，合封芯片可以明显提高数据处理速度和效率。由于芯片之间的连接更紧密，数据传输速度更快，从而提高了整体性能。稳定性增强，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，合封芯片可以减少故障率。功耗降低、开发简单，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，云茂电子可以降低整个系统的功耗。此外，通过优化内部连接和布局，可以进一步降低功耗。防抄袭，多个芯片和元器件模块等合封在一起，就算被采购，也无法模仿抄袭。SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，实现一定功能的单个标准封装件。上海模组封装流程

消费电子目前SiP在电子产品里应用越来越多，尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等消费电子领域。湖北模组封装供应

晶圆级封装（WLP）：1、定义，在晶圆原有状态下重新布线，然后用树脂密封，再植入锡球引脚，然后划片将其切割成芯片，从而制造出真实芯片大小的封装。注：重新布线是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布线层。2、优势，传统封装中，将芯片装进封装中的时候，封装的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技术的优势是能够实现几乎与芯片尺寸一样大小的封装。不只芯片是批量化制造，而且封装也是批量化制造，可以较大程度上降低成本。WLP技术使用倒装焊技术（FCB），所以被称为FBGA（Flip Chip类型的BGA），芯片被称为晶圆级CSP（Chip Size Package）。工艺流程，晶圆级封装工艺流程：① 再布线工程（形成重新布线层的层间绝缘膜[中间介质层]）；② 形成通孔和重新布线层（用来连接芯片和外部端子）；③ 形成铜柱，并在铜柱上面生成凸点；④ 用树脂密封，再形成焊球并用划片机切割成所需的芯片。湖北模组封装供应