硅光芯片耦合测试系统基本参数
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硅光芯片耦合测试系统企业商机

测试是硅光芯片耦合测试系统的主要作用,硅光芯片耦合测试系统主要是用整机模拟一个实际使用的环境,测试设备在无线环境下的射频性能,重点集中在天线附近一块,即检测天线与主板之间的匹配性。因为在天线硅光芯片耦合测试系统之前(SMT段)已经做过相应的测试,所以可认为主板在射频头之前的部分已经是好的了,剩下的就是RF天线、天线匹配电路部分,所以检查的重点就是天线效率、性能等项目。通常来说耦合功率低甚至无功率的情况大多与同轴线、KB板和天线之间的装配接触是否良好有关。因为硅光芯片以硅作为集成芯片的衬底,所有能集成更多的光器件。福建单模硅光芯片耦合测试系统公司

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硅光芯片耦合测试系统中的硅光与芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步骤:将硅光芯片粘贴固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波导为悬臂梁结构,具有模斑变换器;通过图像系统,微调架将光纤端面与耦合波导的模斑变换器耦合对准,固定块从侧面紧挨光纤并固定在基板上;硅光芯片的输入端和输出端分别粘贴垫块并支撑光纤未剥除涂覆层的部分;使用微调架将光纤端面与模斑变换器区域精确对准,调节至合适耦合间距后采用紫外胶将光纤分别与固定块和垫块粘接固定;本发明方案简易可靠,工艺复杂度低,通用性好,适用于批量制作。福建单模硅光芯片耦合测试系统供应商测集成电路的功能和性能。

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实验中我们经常使用硅光芯片耦合测试系统获得了超过50%的耦合效率测试以及低于-20dB的偏振串扰。我们还对一个基于硅条形波导的超小型偏振旋转器进行了理论分析,该器件能够实现100%的偏转转化效率,并拥有较大的制造容差。在这里,我们还对利用侧向外延生长硅光芯片耦合测试系统技术实现Ⅲ-Ⅴ材料与硅材料混集成的可行性进行了初步分析,并优化了诸如氢化物气相外延,化学物理抛光等关键工艺。在该方案中,二氧化硅掩膜被用来阻止InP种子层中的线位错在外延生长中的传播。初步实验结果和理论分析证明该集成平台对于实现InP和硅材料的混合集成具有比较大的吸引力。

在光芯片领域,芯片耦合封装问题是光子芯片实用化过程中的关键问题,芯片性能的测试也是至关重要的一步骤,现有的硅光芯片耦合测试系统系统是将光芯片的输入输出端光纤置于显微镜下靠人工手工移动微调架转轴进行调光,并依靠对输出光的光功率进行监控,再反馈到微调架端进行调试。芯片测试则是将测试设备按照一定的方式串联连接在一起,形成一个测试站。具体的,所有的测试设备通过光纤,设备连接线等连接成一个测试站。例如将VOA光芯片的发射端通过光纤连接到光功率计,就可以测试光芯片的发端光功率。将光芯片的发射端通过光线连接到光谱仪,就可以测试光芯片的光谱等。硅光芯片耦合测试系统的优点:易操作。

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硅硅光芯片耦合测试系统及硅光耦合方法,其用以将从硅光源发出的硅光束耦合进入硅光纤,并可减少硅光束背向反射进入硅光源,也提供控制的发射条件以改善前向硅光耦合。硅光耦合系统包括至少一个平坦的表面,平坦的表面与硅光路相交叉的部分的至少一部分上设有若干扰动部。扰动部具有预选的横向的宽度及高度以增加前向硅光耦合效率及减少硅光束从硅光纤的端面进入硅光源的背向反射。扰动部通过产生复合的硅光束形状来改善前向硅光耦合,复合的硅光束形状被预选成更好地匹配硅光纤多个硅光模式的空间和角度分布。耦合封装与光芯片的设计密切相关,也需要结合EIC的封装整体考虑。黑龙江振动硅光芯片耦合测试系统供应

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硅光芯片耦合测试系统的激光器与硅光芯片耦合结构及其封装结构和封装方法,发散的高斯光束从激光器芯片出射,经过耦合透镜进行聚焦;聚焦过程中光路经过隔离器进入反射棱镜,经过反射棱镜的发射,光路发生弯折并以一定的角度入射到硅光芯片的光栅耦合器上面,耦合进硅光芯片。本发明所提供的激光器与硅光芯片耦合结构,其无需使用超高精度的耦合对准设备,耦合过程易于实现,耦合效率更高,且研发成本较低;激光器与硅光芯片耦合封装结构及其封装方法,采用传统TO工艺封装光源,气密性封装,与现有技术相比,具有比较强的可生产性,比较高的可靠性,更低的成本,更高的耦合效率,适用于400G硅光大功率光源应用。福建单模硅光芯片耦合测试系统公司

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