根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如，实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚 拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有需要可以联系我司哦！黑龙江电容电阻回收网
在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。呆滞料回收处理上海海谷电子有限公司为您提供回收。
具备以下有益效果：该组合式集成电路芯片，通过设置有空心导热块、空心散热块和第二空心散热块，当芯片本体与集尘电路板安装的时候，首先把l形杆插入螺纹块的凹槽中，接着通过螺母与螺纹块连接，达到固定散热机构的目的，之后打开管盖，并通过导管向空心导热块内加注部分纯净水，接着盖上管盖，在芯片本体工作散发热量的时候，热量被空心导热块吸收，同时空心导热块内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管和第二连接管进入到空心散热块和第二散热块中，利用空心散热块和第二空心散热块较 大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。附图说明图1为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片的结构示意图；图2为本实用新型提出的一种组合式集成电路芯片a部分的结构示意图。
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如，实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站 、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的不要错过哦！
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司。江苏收购电子元器件回收公司
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在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如，mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。黑龙江电容电阻回收网
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