在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如，mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供回收，期待为您服务！湖北电感元件回收
所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下：一种集成电路基板，其特征在于，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于 芯板底面的下覆铜层，所述芯板上设置有开口朝上的环形槽，所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔，所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，能达到。本发明技术效果如下：本发明一种集成电路基板。湖北集成电路回收联系方式回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，期待您的光临！
转动环24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的内壁元螺纹块21的外壁螺纹连接，连接机构2能够方便散热机构3与芯片本体1进行连接。散热机构3包括与l形杆23侧壁固定连接的空心导热块31，空心导热块31的下表面与芯片本体1的下表面活动连接，空心导热块31的上表面固定连通有多个连通管32，多个同侧连通管32的顶端共同固定连通有空心散热块33，多个空心散热块33的顶端均固定连通有多个第二连通管34，多个同侧第二连通管34的顶端共同固定连通有第二空心散热块35，空心散热块33与第二空心散热块35相互呈垂直分布，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。第二空心散热块35的顶端固定连接有多个锥形块4，锥形块4能够便捷水珠凝结。空心导热块31的外壁固定连通有导管5，导管5远离空心导热块31的一端螺纹连接有管盖6，导管5便于向空心导热块32内加水。空心导热块31、空心散热块33和第二空心散热块35的材质均为不锈钢，且能够避免空心导热块31、空心散热块33和第二空心散热块35锈蚀损坏。本实用新型中，当芯片本体1与集尘电路板安装的时候，首先把l形杆23插入螺纹块21的凹槽22中，接着通过螺母25与螺纹块21连接。
根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如，实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述 了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。回收，就选上海海谷电子有限公司，有需要可以联系我司哦！
导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区 ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有需要可以联系我司哦！北京电子料上门回收服务
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集成电路300可以包括在方向x上重复布置的多个单元线路结构uws。每个单元线路结构uws包括如上所述的6n条列金属线和4n条栅极线。图17是示出根据示例实施例的移动装置的框图。参照图17，移动装置4000可以包括至少一个应用处理器4100、通信模块4200、显示/触摸模块4300、存储装置4400和缓冲ram4500。应用处理器4100可以控制移动装置4000的操作。通信模块4200被实现为与外部装置执行无线或有线通信。显示/触摸模块4300被实现为显示由应用处理器4100处理的数据和/或通过触摸板接收数据。存储装置4400被实现为存储用户数据。存储装置4400可以是嵌入式多媒体卡(emmc)、固态驱动器(ssd)、通用闪存(ufs)装置等。如上所述，存储装置4400可以执行映射数据和用户数据的高速缓存。缓冲ram4500可以临时地存储用于处理移动装置4000的操作的数据。例如，缓冲ram4500可以是易失性存储器，诸如，双倍数据速率(ddr)同步动态随机存取存储器(sdram)、低功率双倍数据速率(lpddr)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sdram、rambus动态随机存取存储器(rdram)等。根据如上所述的示例实施例，移动装置4000中的至少一个组件可以包括具有单元线路结构的集成电路。这样。湖北电感元件回收
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