当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启和VDD振荡模式中。在此过程中高压MOSFET不允许导通，同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。通过芯片内部数字计数器对振荡周期的计数，当振荡周期数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。如果故障解除，系统开始正常工作；否则系统再次进入振荡模式。为确保系统工作稳定，推荐KP311A系统工作于浅度CCM状态，即电感电流纹波ΔI接近于OCP峰值电流(210mA)。具体感量计算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：输出电压；Vf：续流二极管压降；Toff_min：IC设定内部**小Toff时间，约32us；ΔI：电感纹波电流，CCM条件下为2*(Iocp-Io_max)。举例来讲，参考5V-100mA输出规格，设定Io_max为额定输出电流的1.2倍，即120mA；优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力。中国台湾交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片样品
输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。湖南低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。
BUCK降压芯片，小封装输出5V100mA，低功耗、高效率、线路简单，在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏，芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP，典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时，内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温，当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。
集成了逐周期谷底限流保护(OCL) 功能。每当内部低侧MOSFET 导通时，芯片检测电感电流，当电感电流大于电流限流阈值(ILS(OC)) 时，限流比较器翻转，芯片 进入 OCL模式。此时，芯片内部高侧MOSFET 保持关断状态，直到电感电流下降小于电流限流阈值(ILS(OC)) 后才会再次开启。如果芯片的负载电流超过电感电流(电感电流被OCL 钳位)，则输出电容需要提供额外的电流，从而输出电容放电，输出电压开始下降。当输出电压低于输出欠压保护阈值(VUVP) 时，芯片将停止工作，进入到UVP 打嗝模式，以避免温升过高的情况出现。采用恒定导通时间控制实现超快速的动态响应。
VIN 欠压锁定功能(UVLO) 禁止芯片在输入供电电压过低时工作。UVLO 比较器监测内部稳压电源VCC 的输出电压大小。当VIN 下降到VUVLO(F) 以下时，芯片停止开关工作，禁止使能。当VIN 上升到VUVLO(R) 以上时，如果此时VEN 也大于VEN(R)，则芯片使能，开始软启动恢复正常工作。芯片的 VIN UVLO 的上升和下降阈值为固定值，且典型迟滞电压为400mV。如果实际应用中需要设置更高的阈值和迟滞电压，芯片支持在EN 引脚外接分压电阻实现VIN UVLO 上升阈值和VIN UVLO 下降阈值自定义设置，从而避免芯片在开关机时刻由于VIN 的尖峰噪声和纹波导致芯片反复重启。设计的软驱动功能的驱动电路优化了系统 EMI 性能。山东低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片原厂
集成 500V 高压 MOSFET 和高压启动电路。中国台湾交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片样品
降压非隔离电源芯片220V转5V，KP320X集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、输出过压保护(OVP)、FB异常保护、过载保护(OLP)和过热保护等(OTP)。主要特点•固定5V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•待机功耗低于100mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•FB异常保护•异常过流保护(AOCP)•过热保护(OTP)•封装类型SOP-8中国台湾交流高压220V转3.3V供电WIFI非隔离BUCK电源芯片样品
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