1) 由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时，解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。
2) 由高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境，且具有工艺温度低，容易实现图 形化，应力匹配度高等优点。
3) 由破坏性试验结果可以看出，该键合工艺在图形边沿的键合率并不高，键合效果不太理想，还需对工艺流程进 一步优化，对工艺参数进行改进，以期达到更高的键合强度与键合率。 Smart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB，让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。河南EVG610键合机
EVG®850LT
特征
利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种熔融/分子晶圆键合应用
生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）
无污染的背面处理
超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对准的预键合
先进的远程诊断
技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）
100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预键合室
对准类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°
结合力：蕞高5N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） 河南EVG610键合机晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。
晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。
集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。
EVG501晶圆键合机，先进封装，TSV，微流控加工。基本功能：用于学术和工业研究的多功能手动晶圆键合系统。适用于：微流体芯片，半导体器件处理，MEMS制造，TSV制作，晶圆先进封装等。
一、简介：
EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150mm(200mm键合室的情况下为200mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。
二、特征：
带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺(共晶，焊料，TLP，直接键合)可选涡轮泵(<1E-5mbar)可升级阳极键合开放式腔室设计，便于转换和维护试生产需求：同类产品中比较低拥有成本开放式腔室设计，便于转换和维护蕞小占地面积的200mm键合系统程序与EVGHVM键合系统完全兼容。
三、参数：蕞大键合力：20kN，加热器尺寸：150mm。 EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500套。
在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。山东键合机微流控应用
EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。河南EVG610键合机
EVG®301特征
使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯 河南EVG610键合机
