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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

光刻胶处理系统


EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新标准。EVG100系列的设计旨在提供**广/泛的工艺变革,其模块化功能可提供旋涂和喷涂,显影,烘烤和冷却模块,以满足个性化生产需求。这些系统可处理各种材料,例如正性和负性光刻胶,聚酰亚胺,薄光刻胶层的双面涂层,高粘度光刻胶和边缘保护涂层。这些系统可以处理多种尺寸的基板,直径从2寸到300 mm,矩形,正方形甚至不规则形状的基板,而无需或只需很短的加工时间。


EVG的掩模对准目标是适用于高达300 mm的不同的厚度,尺寸,形状的晶圆和基片。贵州光刻机推荐型号

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EVG620 NT或完全容纳的EVG620

NT Gen2掩模对准系统配备了集成的振动隔离功能,可在各种应用中实现出色的曝光效果,例如,对薄而厚的光刻胶进行曝光,对深腔进行构图并形成可比的形貌,以及对薄而易碎的材料(例如化合物半导体)进行加工。此外,半自动和全自动系统配置均支持EVG专有的SmartNIL技术。


EVG620 NT特征:

晶圆/基板尺寸从小到150 mm /

6''

系统设计支持光刻工艺的多功能性

易碎,薄或翘曲的多种尺寸的晶圆处理,更换时间短

带有间隔垫片的自动无接触楔形补偿序列 官方授权经销光刻机保修期多久HERCULES光刻机系统:全自动光刻跟/踪系统,模块化设计,用于掩模和曝光,集成了预处理和后处理能力。

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EVG120特征2:

先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能,可确保连续的高产量;

工艺技术卓/越和开发服务:

多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)

智能过程控制和数据分析功能[Framework SW Platform]

用于过程和机器控制的集成分析功能

设备和过程性能跟/踪功能;

并行/排队任务处理功能;

智能处理功能;

发生和警报分析;

智能维护管理和跟/踪;


技术数据:

可用模块;

旋涂/ OmniSpray ® /开发;

烤/冷;

晶圆处理选项:

单/双EE /边缘处理/晶圆翻转;

弯曲/翘曲/薄晶圆处理。


这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺,这不仅需要高度的灵活性,而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验,并将这些知识技能整合到EVG100系列中,可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。


光刻胶处理设备有:EVG101光刻胶处理,EVG105光刻胶烘焙机,EVG120光刻胶处理自动化系统;EVG150 光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数,请联系我们,我们会给您提供**/新的资料。或者访问我们的官网获取相关信息。


EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗,并提高光刻胶涂层的均匀性。

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光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的核心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQ Aligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口 ;在EVG的IQ

Aligner NT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层; 金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG® IQ Aligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高/分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。 IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm尺寸的晶圆。黑龙江光刻机竞争力怎么样

了解客户需求和有效的全球支持,这是我们提供优先解决方案的重要基础。贵州光刻机推荐型号

EVG ® 610特征:

晶圆/基板尺寸从小到200 mm /8''

顶侧和底侧对准能力

高精度对准台

自动楔形补偿序列

电动和程序控制的曝光间隙

支持**/新的UV-LED技术

**小化系统占地面积和设施要求

分步流程指导

远程技术支持

多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)

便捷处理和转换重组

台式或带防震花岗岩台的单机版


EVG ® 610附加功能:

键对准

红外对准

纳米压印光刻(NIL)


EVG ® 610技术数据:

对准方式

上侧对准:≤±0.5 µm

底面要求:≤±2,0 µm

红外校准:≤±2,0 µm /具体取决于基板材料

键对准:≤±2,0 µm

NIL对准:≤±2,0 µm 贵州光刻机推荐型号

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