表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。晶圆键合系统EVG501适用于学术界和工业研究。北京EVG820键合机
用晶圆级封装制造的组件被guangfan用于手机等消费电子产品中。这主要是由于市场对更小，更轻的电子设备的需求，这些电子设备可以以越来越复杂的方式使用。例如，除了简单的通话外，许多手机还具有多种功能，例如拍照或录制视频。晶圆级封装也已用于多种其他应用中。例如，它们用于汽车轮胎压力监测系统，可植入医疗设备，军SHI数据传输系统等。晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更guangfan的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。 福建SmartView NT键合机EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，可以简化用户常规操作。
什么是YONG久键合系统呢？EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场GEMING。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供ZUI佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或高级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。
封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB) 技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。 EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计，能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独力温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。 EVG键合机晶圆键合类型有：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。山西原装进口键合机
EVG键合机通过在高真空，精确控制的真空、温度或高压条件下键合，可以满足各种苛刻的应用。北京EVG820键合机
EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台，带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面北京EVG820键合机
