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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

    EVG®540自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统,适用于**/大300mm的基板技术数据EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机,设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装,3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。EVG540键合机基于模块化设计,为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。特征单室键合机,**/大基板尺寸为300mm与兼容的Smaiew®和MBA300自动处理多达四个键合卡盘符合高安全标准技术数据**/大加热器尺寸300毫米装载室使用2轴机器人**/高键合室2个EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。甘肃键合机原理

甘肃键合机原理,键合机

    Co mBond自动化的高真空晶圆键合系统,高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据,EVGCo mBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑,可满足市场对更复杂的集成工艺的需求Co mBond支持的应用领域包括先进的工程衬底,堆叠的太阳能电池和功率器件到**MEMS封装,高性能逻辑和“beyondCMOS”器件Co mBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台,可以针对研发和高通量,大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制Co mBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数(CTE)的异质材料的键合,并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成Co mBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合,这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合,都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。 EVG301键合机保修期多久LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活,用于PAWB(等离子激/活的晶圆键合)。

甘肃键合机原理,键合机

键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。

EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。

晶圆键合类型

■   阳极键合

■   黏合剂键合

■   共熔键合

■   瞬间液相键合

■   热压键合

EVG键合机特征

■   基底高达 200mm

■   压力高达 100 kN

■   温度高达 550°C

■   真空气压低至 1·10-6 mbar

■   可选:阳极,UV固化,650℃加热器

EVG键合机加工服务

EVG设备的晶圆加工服务包含如下:

■   等离子活化直接键合

■   ComBond®

-  硅和化合物半导体的导电键合

■   高真空对准键合

■   临时键合和热、机械或者激光剖离

■   混合键合

■   黏合剂键合

■   集体D2W键合

EVG ® 820层压系统

将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上

特色

技术数据

EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。


特征

将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上  

在载体晶片上精确对准的层压

保护套剥离

干膜层压站可被集成到一个EVG ® 850 TB临时键合系统

技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

组态

1个打孔单元

底侧保护衬套剥离

层压

选件

顶侧保护膜剥离

光学对准


加热层压


EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。

甘肃键合机原理,键合机

EVG ® 850

特征

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

自动盒带间或FOUP到FOUP操作

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

结合力:**/高5 N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件)


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成(可选)

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室


红外检查站


EVG键合机可配置为黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩工艺。甘肃键合机原理

在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。甘肃键合机原理

GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统

集成平台可实现高精度对准和熔融


特色

技术数据

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。 甘肃键合机原理

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