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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

临时键合系统

临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3D IC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。 EVG键合机晶圆加工服务包含如下: ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。新疆EVG510键合机

新疆EVG510键合机,键合机

EVG ® 850 SOI的自动化生产键合系统

自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850

SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是唯/一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。 北京键合机用于生物芯片EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。

新疆EVG510键合机,键合机

EVG ® 850 LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统

用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用


特色

技术数据

晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此,经过实践检验的行业标准EVG850

LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。

EVG ® 510键合机特征

独特的压力和温度均匀性

兼容EVG机械和光学对准器

灵活的设计和配置,用于研究和试生产

将单芯片形成晶圆

各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合)

可选的涡轮泵(<1E-5 mbar)

可升级用于阳极键合

开室设计,易于转换和维护

生产兼容

高通量,具有快速加热和泵送规格

通过自动楔形补偿实现高产量

开室设计,可快速转换和维护

200 mm键合系统的**小占地面积:0.8

m 2

程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容


技术数据

**/大接触力

10、20、60 kN

加热器尺寸     150毫米   200毫米

**小基板尺寸      单芯片   100毫米

真空

标准:0.1毫巴


可选:1E-5 mbar


EVG501 晶圆键合机(系统):真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现**/高产量;研发和试生产的**/低 购置成本。

新疆EVG510键合机,键合机

EVG ® 850 DB 自动解键合机系统

全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆

特色

技术数据

在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。


特征

在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片

自动清洗解键合晶圆

程序控制系统

实时监控和记录所有相关过程参数

自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能

模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量


技术数据

晶圆直径(基板尺寸)

高达300毫米

高达12英寸的薄膜面积

组态

解键合模块

清洁模块

薄膜裱框机

选件

ID阅读

多种输出格式

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理 自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。北京键合机推荐厂家

晶圆键合机系统 EVG®520 IS,拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能;200 mm的单个或双腔自动化系统。新疆EVG510键合机

EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块

2种标准工艺气体:N 2和O 2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N 2,Ar含量**/高为4%的气体)2)

通用质量流量控制器:**多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速**/高可达到20.000 sccm

真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元


清洁站

清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)

腔室:由PP或PFA制成

清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)

旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成

旋转:**/高3000 rpm(5 s)

清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)


可选功能

ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)

LowTemp™等离子活化室

红外检查站 新疆EVG510键合机

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