EVG ® 620 BA键合机选件
自动对准
红外对准,用于内部基板键对准
NanoAlign ®包增强加工能力
可与系统机架一起使用
掩模对准器的升级可能性
技术数据
常规系统配置
桌面
系统机架:可选
隔振:被动
对准方法
背面对准:±2 µm 3σ
透明对准:±1 µm 3σ
红外校准:选件
对准阶段
精密千分尺:手动
可选:电动千分尺
楔形补偿:自动
基板/晶圆参数
尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米
厚度:0.1-10毫米
**/高堆叠高度:10毫米
自动对准
可选的
处理系统
标准:3个卡带站
可选:**多5个站 EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计,注重用户友好性,可轻松引导操作员完成每个流程步骤。北京美元价格键合机
EVG ® 610 BA键对准系统
适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统
特色
技术数据
EVG610键合对准系统设计用于**/大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EV Group的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
**适合EVG ® 501和EVG ®
510键合系统
晶圆和基板尺寸**/大为150/200 mm
手动高精度对准台
手动底面显微镜
基于Windows 的用户界面
研发和试生产的**/佳总拥有成本(TCO) 晶片键合机技术支持EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计,能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3D IC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。
EVG ® 850 DB 自动解键合机系统
全自动解键合,清洁和卸载薄晶圆
特色
技术数据
在全自动解键合机中,经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗,而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光,热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法,都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。
特征
在有形和无形的情况下,都能可靠地处理变薄的,弯曲和翘曲的晶片
自动清洗解键合晶圆
程序控制系统
实时监控和记录所有相关过程参数
自动化工具中完全集成的SECS / GEM界面
适用于不同基板尺寸的桥接工具功能
模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量
技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
高达300毫米
高达12英寸的薄膜面积
组态
解键合模块
清洁模块
薄膜裱框机
选件
ID阅读
多种输出格式
高形貌的晶圆处理
翘曲的晶圆处理 烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300
mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3D VLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据
晶圆直径(基板尺寸)
200、300毫米
**/高 数量或过程模块
8
通量
每小时**多40个晶圆
处理系统
4个装载口
特征
多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块
XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现**/高吞吐量
光学边缘对准模块:Xmax / Ymax = 18 µm 3σ EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。北京美元价格键合机
EVG的GEMINI系列是顶/级大批量生产系统,同时结合了自动光学对准和键合操作功能。北京美元价格键合机
EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块
2种标准工艺气体:N 2和O 2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N 2,Ar含量**/高为4%的气体)2)
通用质量流量控制器:**多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速**/高可达到20.000 sccm
真空系统:9x10 -2 mbar(标准)和9x10 -3 mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元
清洁站
清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选)
腔室:由PP或PFA制成
清洁介质:去离子水(标准),NH 4 OH和H 2 O 2(**/大)。2%浓度(可选)
旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成
旋转:**/高3000 rpm(5 s)
清洁臂:**多5条介质线(1个超音速系统使用2条线)
可选功能
ISO 3 mini-environment(根据ISO 14644)
LowTemp™等离子活化室
红外检查站 北京美元价格键合机
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