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失效分析基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • FAI
  • 型号
  • FAI
  • 是否定制
失效分析企业商机

苏州兰博斯特电子科技公司正式成立于2015年4月,位于风景秀丽的金鸡湖畔。 我们致力于引进欧美先进的电子技术、研发分析技术和**测试技术。我们代理和销售电子、半导体、新能源等行业的生产及测试设备,失效分析设备仪器。如:美国MACCOR电池测试仪,**测试仪,EMMI微光显微镜,热阻特性测试仪,激光开封机,化学开封机,机械开封机,桌面型温控仪等。 尤其在新能源测试和失效分析等方面,我们有着专业的销售和技术支持服务团队,相关产品遍布国内各大质量**企业和高等院校以及****、航空、航天等科研院所。 我们为广大客户提供着质量、快捷、专业的测试(ICT,**测试,FCT)、失效分析等解决方案及技术支持!赢得了广大客户的信赖和支持!江苏正规失效分析报价

EMMI可搭配激光诱导 OBIRCH(光束诱导电阻变化) 光诱导电阻变化(OBIRCH)模式能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺点。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果金属互联线存在缺点,缺点处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺点处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺点位置。OBIRCH模式具有高分辨能力,其测试精度可达nA级。 PEM(Photo Emission Microscope) 光束诱导电阻变化(OBIRCH)功能与光发射(EMMI)常见集成在一个检测系统,合称PEM(Photo Emission Microscope),两者互为补充,能够很好的应对绝大多数失效模式。浙江专业失效分析质量放心可靠

针对元件的漏电失效模式,EMMI(微光显微镜)是必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点,或者经过外界静击穿穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电状态下,内部形成流动电流,漏电位置的电子会发生迁移,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,通过红外显微镜探测到这些释放出来的红外线,来定位件的漏电位置点。 微光显微镜是元器件分析过程中针对漏电失效模式,必不可少的分析工具。器件在设计、生产制造过程中有绝缘缺点,或者期间经过外界静击穿穿,均会造成器件漏电失效。漏电失效模式的器件在通电得状态下,内部形成流动电流,漏电位置的电子会发生迁移,形成电能向光能的转化,即电能以光能的方式释放,从而形成200nm~1700nm红外线。微光射显微镜主要利用红外线探测器,探测到这些释放出来的红外线,从而准确的定位件的漏电点。

案例分析: 背景: 器件检测后发现在VDD和ADIO引脚之间大约有2K的泄漏。 分析总结:在核实FAI参数界面的泄漏报告后,此器件通过使用几项分析技术确定原因和缺点状况。下面描述了三种测试技术。 InGaAs:在室温下检测到微小泄漏。获得的数据是热点而不是重组的。 FMI:用波长385纳米的紫外线光源。FAI参数界面提供失效点的完整图片。 SIFT:用1480纳米波长的光源扫描完整芯片,发现失效区域在芯片一角,定位在失效区域进一步扫描发现失效点。 结论:使用FMI, SIFT and Thermal IR明显的确认该部件有一个热的不稳定的短路点。基于FMI结果确定失效点位于表层下接近层金属。

FAI微光显微镜提供的另一项技术-Moire Thermal Analysis(温度波纹分析),比其它技术具有较低的热分辨率,是用于背面热像分析的技术(而FMI和Liquid crystal不能达到)。 我们同样很自豪的为客户提供合理的产品解决方案,并不是基于现在在这个行业热门的东西来操作。我们所提供的解决方案旨在解决客户在日复一日,年复一年失效分析中碰到的难题。 FAI为所有类型的客户提供智能解决方案,从简单应用测试到完整的一套测试平台,如探针台,InGaAs探测器,激光诱导,荧光微热成像以及屏蔽黑匣子安装等。 FAI微光显微镜不但具备了漏电的基本检测,它也实现了各种短路的全检测,真正实现了一机多用,比较大限度的帮助客户实现了元件多种失效状态下的分析检测。浙江专业失效分析服务介绍

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