EVG ® 6200 BA自动键合对准系统
用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产
特色
技术数据
EVG键合对准系统提供了**/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中**苛刻的对准过程。
特征
适用于EVG所有的200 mm键合系统
支持**/大200 mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准
手动或电动对中平台，带有自动对中选项
全电动高/分辨率底面显微镜
基于Windows的用户界面 EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。重庆解键合键合机
键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠，以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。
EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS 是用于研发的键合机。
晶圆键合类型
■ 阳极键合
■ 黏合剂键合
■ 共熔键合
■ 瞬间液相键合
■ 热压键合
EVG键合机特征
■ 基底高达 200mm
■ 压力高达 100 kN
■ 温度高达 550°C
■ 真空气压低至 1·10-6 mbar
■ 可选：阳极，UV固化，650℃加热器
EVG键合机加工服务
EVG设备的晶圆加工服务包含如下：
■ 等离子活化直接键合
■ ComBond®
- 硅和化合物半导体的导电键合
■ 高真空对准键合
■ 临时键合和热、机械或者激光剖离
■ 混合键合
■ 黏合剂键合
■ 集体D2W键合 辽宁绝缘体上的硅键合机EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。
永/久键合系统
EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来，立即在业内掀起了市场**。利用高温和受控气体环境下的高接触力，这种新颖的方法已成为当今的工艺标准，EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额，并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供**/佳的总拥有成本（TCO），并具有多种设计功能，可优化键合良率。针对MEMS，3D集成或高级封装的不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。
EVG ® 301特征
使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1 MHz（3 MHz选件）
输出功率：30-60 W
去离子水流量：**/高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0 mm
材质：聚四氟乙烯 EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。
EVG ® 510晶圆键合机系统
用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容
特色
技术数据
EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200 mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVG GEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。 LowTemp™等离子激/活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子激/活，用于PAWB（等离子激/活的晶圆键合）。四川**键合机
晶圆键合机系统 EVG®520 IS，拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能；200 mm的单个或双腔自动化系统。重庆解键合键合机
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