DDR测试
DDR的信号仿真验证由于DDR芯片都是采用BGA封装,密度很高,且分叉、反射非常严重,因此前期的仿真是非常必要的。是借助仿真软件中专门针对DDR的仿真模型库仿真出的通道损耗以及信号波形。仿真出信号波形以后,许多用户需要快速验证仿真出来的波形是否符合DDR相关规范要求。这时,可以把软件仿真出的DDR的时域波形导入到示波器中的DDR测试软件中,并生成相应的一致性测试报告,这样可以保证仿真和测试分析方法的一致,并且便于在仿真阶段就发现可能的信号违规。 DDR3关于信号建立保持是的定义;解决方案DDR测试执行标准

实际的电源完整性是相当复杂的,其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说,目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的,也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有10个左右。另外,表贴电容合适,它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性,但是它承载着比较小的电流。显然,它只需要很窄的走线,且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要,所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而,对VTT的布线是具有相当大的挑战性,因为它不只要有严格的容差性,而且还有很大的瞬间电流,不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终,可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里,层之间的间距比较大,从而失去其电源层间的电容优势,所以,去耦电容的数量将增加,尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。PCI-E测试DDR测试参考价格DDR测试技术介绍与工具分析;

2.PCB的叠层(stackup)和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板(如4层板)来说,其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层,中间的两层,其中一层为GND平面层,而另一层为VDD平面层,Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时,设计一种拓扑结构变得更加容易,同时由于Power层和GND层的间距变小了,从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗,在DDR2的设计时必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号,100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,比如CLOCK和DQS信号。另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT,且保持50Ohms,ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时,单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上,这已经被证明有很多的优点。而且,上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗,电阻值可能需要做出不同的选择,通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。
DDR测试
DDR4/5与LPDDR4/5的信号质量测试由于基于DDR颗粒或DDRDIMM的系统需要适配不同的平台,应用场景千差万别,因此需要进行详尽的信号质量测试才能保证系统的可靠工作。对于DDR4及以下的标准来说,物理层一致性测试主要是发送的信号质量测试;对于DDR5标准来说,由于接收端出现了均衡器,所以还要包含接收测试。DDR信号质量的测试也是使用高带宽的示波器。对于DDR的信号,技术规范并没有给出DDR信号上升/下降时间的具体参数,因此用户只有根据使用芯片的实际快上升/下降时间来估算需要的示波器带宽。通常对于DDR3信号的测试,推荐的示波器和探头的带宽在8GHz;DDR4测试建议的测试系统带宽是12GHz;而DDR5测试则推荐使用16GHz以上带宽的示波器和探头系统。 DDR压力测试的内容方案;

DDR5具备如下几个特点:·更高的数据速率·DDR5比较大数据速率为6400MT/s(百万次/秒),而DDR4为3200MT/s,DDR5的有效带宽约为DDR4的2倍。·更低的能耗·DDR5的工作电压为1.1V,低于DDR4的1.2V,能降低单位频宽的功耗达20%以上·更高的密度·DDR5将突发长度增加到BL16,约为DDR4的两倍,提高了命令/地址和数据总线效率。相同的读取或写入事务现在提供数据总线上两倍的数据,同时限制同一存储库内输入输出/阵列计时约束的风险。此外,DDR5使存储组数量翻倍,这是通过在任意给定时间打开更多页面来提高整体系统效率的关键因素。所有这些因素都意味着更快、更高效的内存以满足下一代计算的需求。DDR工作原理与时序问题;解决方案DDR测试执行标准
DDR3的DIMM接口协议测试探头;解决方案DDR测试执行标准
DDR测试
制定DDR内存规范的标准按照JEDEC组织的定义,DDR4的比较高数据速率已经达到了3200MT/s以上,DDR5的比较高数据速率则达到了6400MT/s以上。在2016年之前,LPDDR的速率发展一直比同一代的DDR要慢一点。但是从LPDDR4开始,由于高性能移动终端的发展,LPDDR4的速率开始赶超DDR4。LPDDR5更是比DDR5抢先一步在2019年完成标准制定,并于2020年在的移动终端上开始使用。DDR5的规范(JESD79-5)于2020年发布,并在2021年开始配合Intel等公司的新一代服务器平台走向商 解决方案DDR测试执行标准
trombone线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响,一种在不需要提高其间距的情况下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth线。显然,sawtooth线比trombone线具有更好的效果。但是,依来看它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因,所以,在实际的设计时,要借助于CAD工具进行严格的计算,从而控制走线的时延匹配。考虑到在图2中6层板上的过孔的因素,当一个地过孔靠近信号过孔放置时,则在时延方面的影响是必须要考虑的。先举个例子,在TOP层的微带线长度是150mils,BOTTOM层的微带线也是150mils,线宽都为4mils,且过孔的参数为:barreldiamet...