EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统，可处理从单芯片到150 mm（200 mm键合室的情况下为200 mm）的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，如阳极，玻璃料，焊料，共晶，瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计，让用户能快速，轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺，转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学，研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM（量产）工具上是相同的，例如GEMINI，键合程序很容易转移，这样可以轻松扩大生产量。 EVG键合机提供的加工服务。研究所键合机技术支持
ZiptronixInc.与EVGroup（简称“EVG”）近日宣布已成功地在客户提供的300毫米DRAM晶圆实现亚微米键合后对准精度。方法是在EVGGeminiFB产品融合键合机和SmartViewNT键合对准机上采用Ziptronix的DBI混合键合技术。这种方法可用于制造各种应用的微间距3D集成电路，包括堆栈存储器、上等图像传感器和堆栈式系统芯片(SoC)。Ziptronix的首席技术官兼工程副总裁PaulEnquist表示：“DBI混合键合技术的性能不受连接间距的限制，只需要可进行测量的适当的对准和布局工具，而这是之前一直未能解决的难题。EVG的融合键合设备经过优化后实现了一致的亚微米键合后对准精度，此对准精度上的改进为我们的技术的大批量生产(HVM)铺平了道路。” 碳化硅键合机国内用户EVG键合可选功能：阳极，UV固化，650℃加热器。
从表面上看，“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语，但由于涉及更多的变量，因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起，在电子设备上执行引线键合过程，但是由于项目的精致性，由于它们的导电性和相对键合温度，通常jin应用金，铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量，超声波能量和微量压力的技术，可避免损坏电子电路。如果执行不当，很容易损坏微芯片或相应的焊盘，因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习，然后再尝试进行引线键合。
EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。 EVG键合机使用直接（实时）或间接对准方法，能够支持大量不同的对准技术。
EVGroup开发了MLE™（无掩模曝光）技术，通过消除与掩模相关的困难和成本，满足了HVM世界中设计灵活性和蕞小开发周期的关键要求。MLE™解决了多功能（但缓慢）的开发设备与快速（但不灵活）的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案，可同时进行裸片和晶圆级设计，支持现有材料和新材料，并以高可靠性提供高速适应性，并具有多级冗余功能，以提高产量和降低拥有成本（CoO）。EVG的MLE™无掩模曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求，而且还满足MEMS，生物医学和印刷电路板制造的要求。 晶圆级涂层、封装，工程衬底知造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。实验室键合机学校会用吗
EMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。研究所键合机技术支持
EVG320技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø4.0mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器可选的频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石刷的参数：材质：PVA可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）可调参数（刷压缩，介质分配）自动化晶圆处理系统扫描区域兼容晶圆处理机器人领域EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到蕞高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。可选功能：ISO3mini-environment（根据ISO14644）研究所键合机技术支持
