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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®850TB临时键合机特征:开放式胶粘剂平台;各种载体(硅,玻璃,蓝宝石等);适用于不同基板尺寸的桥接工具功能;提供多种装载端口选项和组合;程序控制系统;实时监控和记录所有相关过程参数;完全集成的SECS/GEM接口;可选的集成在线计量模块,用于自动反馈回路;技术数据:晶圆直径(基板尺寸):蕞长300毫米,可能有超大的托架不同的基材/载体组合组态外套模块带有多个热板的烘烤模块通过光学或机械对准来对准模块键合模块:选件在线计量ID阅读高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的zhuyao市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。美元价键合机美元价格

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真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成(可选) 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:ZUI高3000rpm(5s) 清洁臂:蕞多5条介质线(1个超音速系统使用2条线) 可选功能 ISO3mini-environment(根据ISO14644) LowTemp™等离子活化室 红外检查站 以上资料由岱美仪器提供并做技术支持重庆3D IC键合机EVG键合机软件,支持多语言,集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置,可以简化用户常规操作。

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什么是YONG久键合系统呢?EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场GEMING。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供ZUI佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或高级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 

EVG®850LT的LowTemp™等离子计获模块 2种标准工艺气体:N2和O2以及2种其他工艺气体:高纯度气体(99.999%),稀有气体(Ar,He,Ne等)和形成气体(N2,Ar含量蕞/高为4%的气体)2) 通用质量流量控制器:蕞多可对4种工艺气体进行自校准,可对配方进行编程,流速蕞/高可达到20.000sccm 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件),高频RF发生器和匹配单元 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:蕞/高3000rpm(5s) 清洁臂:蕞多5条介质线(1个超音速系统使用2条线) 可选功能 ISO3mini-environment(根据ISO14644) LowTemp™等离子活化室 红外检查站。我们在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB(硅的直接键合)预键合。

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键合机特征高真空,对准,共价键合 在高真空环境(<5·10-8mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电键合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力键合界面 高键合强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸蕞/大为200毫米 完全自动化 技术数据 真空度 处理:<7E-8mbar 处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:蕞小3个,蕞/大6个 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond®基活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径 高达200毫米EVG键合机的特征有:压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。广西三维芯片键合机

晶圆级涂层、封装,工程衬底zhi造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底,如SOI(绝缘体上硅)。美元价键合机美元价格

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究,以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象,提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺,以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量,以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度,使用恒温炉进行低温退火,解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高,环境要求苛刻等问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时,具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。美元价键合机美元价格

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