灰度光刻基本参数
  • 品牌
  • Nanoscribe
  • 型号
  • 齐全
  • 类型
  • 双光子微纳光刻系统
  • 规格
  • QuantumX
  • 厂家
  • Nanoscribe
  • 产地
  • 德国
灰度光刻企业商机

微纳3D打印其实和与灰度光刻有点相似,但是原理不同,我们常见的微纳3D打印技术是双光子聚合和微纳金属3D打印技术,利用该技术我们理论上可以获得任意想要的结构,不光是微透镜阵列结构(如下图5所示),该方法的优势是可以完全按照设计获得想要的结构,对于双光子聚合的微结构,我们需要通过LIGA工艺获得金属模具,但是对于微纳金属3D打印获得的微纳米结构可以直接进行后续的复制工作,并通过纳米压印技术进行复制。灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版(掩膜接触式光刻)或者计算机控制激光束或者电子束剂量从而达到在某些区域完全曝透,而某些区域光刻胶部分曝光,灵活性高:由于无需制作实体掩膜版,无掩膜光刻技术可以快速地更改光刻图案,方便进行试制和修改。重庆2PP灰度光刻3D光刻

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Nanoscribe高速灰度光刻微纳加工打印系统QuantumX的中心是Nanoscribe独jia专li的双光子灰度光刻技术。这种具有创新性的增材制造工艺很大程度缩短了企业的设计迭代,打印样品结构既可以用作技术验证原型,也可以用作工业生产上的加工模具。德国Nanoscribe公司在2019慕尼黑光博会展LASERWorldofPhotonics上发布了全新工业级双光子灰度光刻微纳打印系统QuantumX,并荣获创新奖。该系统是世界上No.1基于双光子灰度光刻技术(2GL?)的精密加工微纳米打印系统,可应用于折射和衍射微光学。湖北进口灰度光刻系统灰度光刻技术可以实现高分辨率的微纳米结构制造,满足日益增长的微电子和光电子器件对精确结构的需求。

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光子集成电路(PhotonicIntegratedCircuit,PIC)与电子集成电路类似,但不同的是电子集成电路集成的是晶体管、电容器、电阻器等电子器件,而光子集成电路集成的是各种不同的光学器件或光电器件,比如激光器、电光调制器、光电探测器、光衰减器、光复用/解复用器以及光放大器等。集成光子学可较广地应用于各种领域,例如数据通讯,激光雷达系统的自动驾驶技术和YL领域中的移动感应设备等。而光子集成电路这项关键技术,尤其是微型光子组件应用,可以很大程度缩小复杂光学系统的尺寸并降低成本。光子集成电路的关键技术还在于连接接口,例如光纤到芯片的连接,可以有效提高集成度和功能性。类似于这种接口的制造非常具有挑战性,需要权衡对准、效率和宽带方面的种种要求。针对这些困难,科学家们提出了宽带光纤耦合概念,并通过Nanoscribe的双光子微纳3D打印设备而制造的3D耦合器得以实现。

如何减少甚至避免因此带来的柔软样品表面的形变,以实现对原始表面的精确成像一直是一个重要议题。Nanoscribe公司的系列产品是基于双光子聚合原理的高精度微纳3D打印系统,双光子聚合技术是实现微纳尺度3D打印特别有效的技术,其打印物体的特别小特征尺寸可达亚微米级,并可达到光学质量表面的要求。NanoscribePhotonicProfessionalGT2使用双光子聚合(2PP)来产生几乎任何3D形状:晶格、木堆型结构、自由设计的图案、顺滑的轮廓、锐利的边缘、表面的和内置倒扣以及桥接结构。PhotonicProfessionalGT2结合了设计的灵活性和操控的简洁性,以及非常普遍的材料-基板选择。因此,它是一个理想的科学仪器和工业快速成型设备,适用于多用户共享平台和研究实验室。灰度光刻技术可以实现高分辨率的微纳米结构制造。

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我们往往需要通过灰度光刻的方式来实现微透镜阵列结构,灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版(掩膜接触式光刻)或者计算机控制激光束或者电子束剂量从而达到在某些区域完全曝透,而某些区域光刻胶部分曝光,从而在衬底上留下3D轮廓形态的光刻胶结构(如下图4所示,八边金字塔结构)。微透镜阵列也是类似,可以通过剂量分布的控制来控制其轮廓形态。需要注意,灰度光刻方法获得的微透镜阵列的表面粗糙度相比于热回流和喷墨法获得的透镜要大的多,约为Ra=100nm,前两者可以会的Ra=50nm的球面。Nanoscribe中国分公司-纳糯三维科技(上海)有限公司带您一起了解双光子灰度光刻系统的应用。上海Nanoscribe灰度光刻3D光刻

灰度光刻技术可以相当于二元套刻的多次曝光,提高了光刻效率。重庆2PP灰度光刻3D光刻

国际上,激光直写设备是光掩模制备的主要工具,尤其在高世代TFT-Array掩模的平面图形,面积可达110英寸(瑞典MICRONIC)单价高于1.5亿元/套,制备一个线宽分辨率1.5微米的110吋光掩模单价500万RMB;然而,这种激光直写设备并不适用于微纳3D形貌结构和深纹图形制备。已有的基于蓝光405nm直接成像光刻(DIL)适合光刻分辨率较低的图形,也不适用于3D结构的灰度光刻。因此,面向柔性光电子材料与器件的需求,必须攻克大面积3D形貌的微结构的高效高精度制备,解决海量数据高效率转化、高精度数据迭代与叠加曝光,高速率飞行直写技术的难题。重庆2PP灰度光刻3D光刻

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