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膜厚仪基本参数
  • 产地
  • 美国
  • 品牌
  • Frontier Semiconductor (FSM)
  • 型号
  • FSM 413EC, FSM 413MOT,FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM
  • 是否定制
膜厚仪企业商机

F10-AR无须处理涂层背面我们探头设计能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射,使用更厚的镜头抑制的更多。就像我们所有的台式仪器一样,F10-AR需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内即可完成设定。包含的内容:集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure独力软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)备用灯额外的好处:每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一-周五)网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。F40测量范围;20nm-40µm;波长:400-850nm。NK值膜厚仪半导体行业

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更可加装至三个探头,同时测量三个样品,具紫外线区或标准波长可供选择。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外,可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作台,由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通过快速扫瞄功能,可取得整片样品厚度分布情况(mapping)。F70:瑾通过在F20基本平台上增加镜头,使用Filmetrics*新的颜色编码厚度测量法(CTM),把设备的测量范围极大的拓展至。F10-RT:在F20实现反射率跟穿透率的同时测量,特殊光源设计特别适用于透明基底样品的测量。PARTS:在垂直入射光源基础上增加70º光源,特别适用于超薄膜层厚度和n、k值测量。**膜厚测量仪系统F20使用F20**分光计系统可以简便快速的测量厚度和光学参数(n和k)。您可以在几秒钟内通过薄膜上下面的反射比的频谱分析得到厚度、折射率和消光系数。任何具备基本电脑技术的人都能在几分钟内将整个桌面系统组装起来。F20包括所有测量需要的部件:分光计、光源、光纤导线、镜头集和和Windows下运行的软件。您需要的只是接上您的电脑。膜层实例几乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能测。包括:sio2(二氧化硅)sinx(氮化硅)dlc(类金刚石碳)photoresist。有机发光膜厚仪质保期多久FSM拉曼的应用:局部应力; 局部化学成分;局部损伤。

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厚度测量产品:我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量:一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。F20全世界销量蕞hao的薄膜测量系统。有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米(µm)时,需要用您自己的显微镜或者用岱美仪器提供的整个系统。

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机,以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如,F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下,能够测量到十几层。

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FSM413红外干涉测量设备关键词:厚度测量,光学测厚,非接触式厚度测量,硅片厚度,氮化硅厚度,激光测厚,近红外光测厚,TSV,CD,Trench,砷化镓厚度,磷化铟厚度,玻璃厚度测量,石英厚度,聚合物厚度,背磨厚度,上下两个测试头。Michaelson干涉法,翘曲变形。如果您对该产品感兴趣的话,可以给我留言!产品名称:红外干涉厚度测量设备·产品型号:FSM413EC,FSM413MOT,FSM413SADP,FSM413C2C,FSM8108VITEC2C如果您需要更多的信息,请联系我们岱美仪器。F50-UV测厚范围:5nm-40µm;波长:190-1100nm。折射率膜厚仪美元报价

只需按下一个按钮,您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。NK值膜厚仪半导体行业

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度NK值膜厚仪半导体行业

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