薄膜均匀性概念 1.厚度上的均匀性，也可以理解为粗糙度，在光学薄膜的尺度上看(也就是1/10波长作为单位，约为100A)，真空镀膜的均匀性已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内，也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有任何障碍。 但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至1A的表面平整，具体控制因素下面会根据不同镀膜给出详细解释。 2.化学组分上的均匀性: 就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀特性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。 具体因素也在下面给出。 3.格有序度的均匀性: 这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题， 主要分类有两个大种类: 蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等。膜中的贵金属分子会选择性将阳光中光源、热源进行筛选并将多余的反射回去。南通磁控镀膜机咨询
磁控溅射镀膜的产品特点： 1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈.相应地,环状磁场控制的区域是等离子体密度的部位.在磁控溅射时,可以看见溅射气体——氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光,形成一个光环.处于光环下的靶材是被离子轰击严重的部位,会溅射出一条环状的沟槽.环状磁场是电子运动的轨道,环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来.磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材,就会导致整块靶材报废,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2、等离子体不稳定; 3、不能实现强磁性材料的低温高速溅射,因为几乎所有的磁通都通不过磁性靶子,所以在靶面附近不能加外加强磁场.安徽磁控镀膜机定制公司镀膜是在表面镀上非常薄的透明薄膜。
磁控溅射技术的工艺历史发展： 1852年，格洛夫发现了阴极溅射，由于该方法要求工作气压高、基体温升高和沉积速率低等，阴极溅射在生产中并没有得到普遍的应用。20世纪三十年代，J.Chapin发明了平衡磁控溅射，使高速、低温溅射成为现实，磁控溅射真正意义上发展起来。 上世纪五十年代Schneider等采用离化溅射和平衡磁控溅射制备氧化铝薄膜，当增加偏压后，薄膜硬度是未加偏压的2倍。 1981年Maniv等在基底和靶之间设置栅板，使反应气体和Ar气分隔两侧，极大地改善了迟滞。 上世纪九十年代，中国的牟宗信等采用非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜，试样表现出良好的耐腐蚀性能。 2008年Berg等通过建立模型分析发现，控制参数为反应气体时，将靶材溅射面积控制到一定数值以下，迟滞现象就会消失。
以下从几个方面叙述镀膜机性质：①一般性：要求系统在一定范围内是适用或者普遍存在的。对于本课题来说，系统能够满足工业上平板基片溅射镀膜的基本工艺要求，即溅射镀膜工艺过程的共性问题。②特殊性：系统对特定研究对象达到较佳的适用性。针对大面积平板基片溅射镀膜来说，就是溅射镀膜中的尺寸效应成为系统重要部分，如薄膜均匀性，基片加热的均匀性，材料的线性膨胀和变形，靶面的电流分布，气体分布和电磁场分布等。这一系列问题被尺寸效应突显出来。因此尺寸效应成为系统的个性问题。磁控溅射镀膜设备的磁控溅射靶是采用静止电磁场，而磁场是曲线型的。
要获得结合牢固、致密、无针洞缺陷的膜层, 必须使膜层沉积在清洁、具有一定温度甚至是启用的基片上。为此前处理的过程包括机械清洗(打磨、毛刷水洗、去离子水冲洗、冷热风刀吹净)、烘烤、辉光等离子体轰击等。机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等异物, 并且不含活性离子, 必要时还可采用超声清洗。烘烤的目的是彻底去除基片表面残余的水份, 并使基片加热到一定的温度, 很多材质在较高的基片温度下可以增强结合力和膜层的致密性。基片的烘烤可以在真空室外进行, 也可以在真空室内继续进行, 以获得更好的效果。但在真空室内作为提供热源的电源应有较低的电压, 否则易于引起放电。辉光等离子体轰击清洗可以进一步除去基片表面残留的不利于膜层沉积的成份, 同时可以提高基片表面原子的活性, 更有利于基片与沉积的材质原子产生牢固的结合。使用中频电源会取得比直流放电更明显的效果。可用磁控溅射方法在柔性基材上镀制各种介质膜。南通磁控镀膜机咨询
磁控溅射工艺可利用阳极导走放电时产生的电子，而不必借助基材支架接地来完成。南通磁控镀膜机咨询
真空镀膜机电真空器件的常用检漏方法 根据电真空器件的结构特点及测量精度要求，常用的有两种检漏方法，即氦罩法和喷吹法(这两种检漏方法详细介绍可见：氦罩法和喷吹法的氦质谱检漏仪检漏常见方法)。检漏时，先用氦罩法进行总漏率的测定，当总漏率超出允许值后再用喷吹法进行漏孔的准确定位。 1、氦罩法测总漏率 氦罩法是被检件与检漏仪连接抽真空达到检漏状态后，用一个充满氦气的检验罩，把被检件整体或局部的外表面包围起来，如图4所示。检验罩充氦时先将罩内空气排出再充氦，以保证罩内氦浓度尽可能接近，被检件上任何地方有泄露，检漏仪都会有漏率值变化，显示出漏率值。氦罩时间也要持续3~5倍检漏仪响应时间。ASM192T2氦质谱检漏仪反应时间小于0.5s，因此氦罩时间30s即可。氦罩法可快捷地测定被检件总漏率，不会漏掉任何一处漏点，但不能确定漏孔位置。 2、喷吹法确定漏孔位置 喷吹法是将被检件与仪器的真空系统相连，对被检件抽真空后用喷枪向可疑漏孔处吹喷氦气。当有漏孔存在时，氦气就通过漏孔进入质谱仪被检测出，喷吹法弥补了氦罩法不能定位的缺陷。南通磁控镀膜机咨询
