减薄机砂轮与硅片的接触长度,接触面积,切入角不变,磨削力恒定,加工状态稳定，可以避免硅片出现中凸和塌边现象。现在直径200mm以上的大尺寸硅片背面磨削(backgrinding)大都采用基于硅片白旋转磨削原理的超精密磨削技术。硅片背面磨削的工艺过程：硅片背面磨削一般分为两步:粗磨和精磨.在粗磨阶段,采用粒度46# ~ 500#的金刚石砂轮,轴向进给速度为100 ~ 500mm/min,磨削深度较大,般为0.5~11ITf1。目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料(加工余量的90%).精磨时,加工余量几微米直至十几微米,采用粒度2000# ~4000#的金刚石砂轮,轴向进给速度为0.5~10mm/min。全自动减薄机有全自动上下片，干进干出的全自动研削系统。杭州平面减薄机设备
在LED芯片的制作流程中，将厚片减薄是关系到成品极终良率的关键，所谓厚片，是指经过前道工序但未经过厚度减薄处理的晶圆片。减薄工艺主要是利用自动减薄机将晶圆片的蓝宝石衬底部分减薄。自动减薄机通常包括:工作台和砂轮，其中，工作台上先放置陶瓷盘，再将厚片通过蜡粘贴在陶瓷盘上，砂轮用于磨削厚片，砂轮与工作台反向旋转。为了保证减薄后晶圆片的厚度及粗糙度达到要求，减薄过程通常分段进行，每段设置不同的工艺参数以及目标厚度，经过多段减薄极终达到工艺要求。在这过程中，对于晶圆片厚度的检测，是在每段减薄完成后自动减薄机停下来进行测量的。杭州平面减薄机设备卧式蓝宝石减薄机一般加工直接在200mm以内的工件。
减薄机包括机架、传送装置和打磨装置，其中，传送装置包括可随中心轴旋转的转盘，转盘上依次设置有若干个围绕中心轴分布的工位，工位用于放置工件；打磨装置包括磨头和用于驱动磨头运动的驱动机构，磨头包括转轴和与转轴连接的磨盘，驱动机构包括设置在机架上的首先驱动组件、位于首先驱动组件上并可水平运动的第二驱动组件和位于第二驱动组件上并可上下运动的第三驱动组件，转轴与第三驱动组件连接，以在第三驱动组件的带动下转动；打磨装置设置在转盘的上方，通过转动转盘，可使若干个工位逐一与打磨装置的打磨位置对接。横向减薄机减薄效率高，LED蓝宝石衬底每分钟可减薄48um。
硅片减薄技术主要应用于6500V高压系列的可控硅、整流二极管、高密度二极管的生产工艺方面，单面减薄的作用是提高硅片单面的表面毫伏数，以便于下一步磷扩散工序的顺利完成。目前，国内其他企业都采用常规减薄工艺，即用磨床减薄，其存在如下问题:减薄的均匀性差，减去的厚度难以精确控制，容易碎片，而且经过金刚砂研磨，又引入杂质，造成硅片表面态难以控制。在磨削工件与吸盘之间设置了由铝、不锈钢或铝箔制成的散热工作台的新型的减薄机吸盘装置，其解决了脆性材料难磨削的问题，使用方便、安全。横向减薄机硅片每分钟可减薄250um。
硅片酸洗减薄机箱体内支撑有旋转提篮，旋转提篮由两个圆形固定板、横向连接于两个圆形固定板之间的圆柱状围笼、设于两个圆形固定板外侧面的转轴及提手组成，圆柱状围笼由围笼本体、与围笼本体铰接的半圆状笼盖组成，半圆状笼盖的开口侧边沿与围笼本体利用锁扣连接，围笼本体底面均匀间隔设置多个隔棱，箱体外侧一端固定有滑道且滑道上方滑动连接有支座，支座的水平板面上固定有倒置的伺服电机，伺服电机的电机轴通过传动机构与旋转提篮的转轴相连，箱体的内侧壁上另固定有循环水管。结构设计合理、操作方便，实现硅片单面化学减薄，不生产批量大，而且提高了成品率，节省资源，降低生产成本。半自动双轴减薄机产品粗磨后移动至精磨位置，自动研削至目标值。半自动双轴减薄机配置采用手动装片方式，自动厚度测量和补偿系统。杭州平面减薄机设备
蓝宝石减薄机具有非常高精密的加工能力及双面平行度控制能力。杭州平面减薄机设备
除线减薄机采用了在机架上左右对称加工有弧形槽，大电机的输出轴穿过弧形槽与大刀盘连接，电机固定架的外侧设置有滚轮，滚轮可沿着安装在机架上的轨道滑行，从而带动电机固定架移动，使得大电机的输出轴在弧形槽内滑动，大刀盘收缩或者伸展，避开机场跑道上设置的照明灯，大刀盘和小刀盘呈品字形排列，这种排列方式使刀盘的刮擦去除效果更佳，在机架后部设置小刀盘，小刀盘可以弥补刮擦两个大刀盘中间没有去除的标线。本实用新型具有结构简单、操作灵活、成本低、效率高、不易产生粉尘等优点，可推广应用到已完成路面标线清楚设备或装置领域。杭州平面减薄机设备
