晶圆制造工艺中，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出比较高要求，因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片，通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机，在减薄过程中，晶圆由于表面中间和边缘的厚度不一致，在去除其中间厚度的时候会因为其强度不同，导致破裂，吸盘无法吸附，直接掉落工作台，变得碎裂，清理麻烦。蓝宝石减薄机吸盘可分为电磁吸盘和真空吸盘，其直径大小一般为320-600mm。平面减薄机磨料
硅片减薄技术主要应用于6500V高压系列的可控硅、整流二极管、高密度二极管的生产工艺方面，单面减薄的作用是提高硅片单面的表面毫伏数，以便于下一步磷扩散工序的顺利完成。目前，国内其他企业都采用常规减薄工艺，即用磨床减薄，其存在如下问题:减薄的均匀性差，减去的厚度难以精确控制，容易碎片，而且经过金刚砂研磨，又引入杂质，造成硅片表面态难以控制。在磨削工件与吸盘之间设置了由铝、不锈钢或铝箔制成的散热工作台的新型的减薄机吸盘装置，其解决了脆性材料难磨削的问题，使用方便、安全。平面减薄机磨料横向减薄机为精密磨削设备，由真空主轴吸附工件与金刚石磨轮作相反方向高速磨削，金刚石磨轮前后摆动。
单晶硅片是由纯度极高的单晶硅制成，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，单晶硅圆片也成为晶元，是生产集成电路所用的载体，在集成电路的生产过程中起着至关重要的作用。在晶元硅片的使用过程中，有时需要对晶元表面进行减薄处理。然而，现有市场上的晶元减薄机一般是直接将单晶硅片放进清洗设备的内部，通过直接对设备内部加注进行辅助加工的酸性溶液进行工作，但是直接的摆放硅片可能会在进行加工的过程中对其造成损伤，并且飞溅的碎屑也会对其他的硅片造成损伤，无法保证加工产品的质量和加工效率，浪费资源增加了运营的成本。减薄机减薄到一定的厚度有利于后期封装工艺。
集成电路制造工艺的发展对硅片等材料质量要求越来越严格，材料表面的波纹度及厚度只能通过减薄工艺来实现，因此减薄机成为必不可少的设备，减薄机主要由工件吸盘、吸盘主轴及驱动器组件、砂轮、砂轮主轴及驱动组件、丝杆导轨进给组件及其他辅助配件构成。目前市场现有吸盘可以分为电磁吸盘和真空吸盘，吸盘的大小根据需求定制。电磁吸盘利用磁通的连续性原理和磁场叠加原理设计。真空原理是由负气压变成零气压或正气压从而提升吸附产物的原理设计。蓝宝石减薄机能加工工件厚度在5u以下的工件。蓝宝石减薄机砂轮主轴采用精密的高速旋转电主轴，驱动方式为变频调速转速。
多工位减薄机自定位工件座，多工位打磨提高了生产效率和打磨效果，公转平台运行过程中，对接驱动机构能够和工件轴完成自动对接，同时驱动工件轴自动旋转，提高了工位切换的流畅性。它包括公转平台，公转平台上包含多个工位，其中包括至少一个材料取放工位和多个打磨工位，每个工位上均设置有工件轴，打磨工位上安装有用于对工件轴进行自动对接并驱动工件轴进行旋转的对接驱动机构；工件轴包括负压吸盘、负压吸盘驱动轴和固定连接驱动轴上的工件轴齿轮，负压吸盘底部设置有气管旋转接头；伺服电机可带动旋转提篮在一定周期内交替正、反转，明显增强硅片表面的减薄均匀性。江苏玻璃减薄机供应商
减薄机研磨垫的机械性质影响到薄膜表面的平坦度以及均匀度，所以控制结构及机械性质是非常重要的。平面减薄机磨料
液晶玻璃减薄机，主要包括操作台，操作台的顶部前后两端对称设有两个横向设置的滑轨，两个滑轨上对称滑动连接的首先滑块之间通过连接板连接，两个首先滑块的顶部通过倒U形支座，倒U形支座顶部的直角梯形支座斜面通过支杆与夹装有液晶玻璃的夹具固定连接，操作台的顶部中间位置设有横向设置的倒U形支架，倒U形支架上左右对称设有两个立板，立板前侧面的滑槽上滑动连接有第二滑块，第二滑块前侧面固定螺接有L形支板，L形支板顶部左侧设有纵向设置的出液管道，出液管道的底部等距离排列设有若干喷嘴，喷嘴的内侧设有与L形支板螺接连接的导流板，操作台上且位于两个滑轨的内侧左右对称设有两个与立板垂直对称设置的集液槽。平面减薄机磨料
