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磁控镀膜机基本参数
  • 品牌
  • 无锡光润真空科技有限公司
  • 型号
  • 齐全
  • 包装材料
  • 其他
  • 包装类型
  • 其他
磁控镀膜机企业商机

磁控镀膜设备采用中频磁控溅射及多弧离子相结合技术,适用于塑胶、玻璃、陶瓷、五金等产品,如眼镜、手表、手机配件、电子产品、水晶玻璃等。膜层的附着力、重复性、致密度、均匀性好,具有产量大,产品良率高等特点。磁控溅射镀膜设备用高能粒子轰击固体表面,固体表面的原子、分子与入射的高能粒子交换动能后从固体表面飞溅出来的现象称为溅射。溅射出来的原子具有一定的能量,它们可以重新沉积凝聚在固体基片表面上形成薄膜,称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶材击出阴极靶材的原子或分子,飞向被镀基片表面沉积成薄膜。本公司设备均为非标定制,可根据用户要求设计各种规格型号的真空镀膜机。真空机组及电控系统也可根据用户要求进行设计配置。磁控溅射靶表面刻蚀不均是由靶磁场不均所导致,靶的局部位置刻蚀速率较大,使靶材有效利用率较低。徐州磁控镀膜机定制

辉光放电的压力一般较高, 而溅射镀膜的工作压力往往在更低的量级。在前后过渡室之间的部分称为镀膜室或溅射室。每个镀膜室是一个单独的沉积区域。所谓单独是指该镀膜室内的工作压力以及工作氛围不受其它室体的影响。每个溅射室设有一付或两付靶位。每付靶位上可以安装一付磁控溅射靶, 或称为阴极。溅射室的数量亦或溅射靶的数量, 包括选用的靶材, 取决于生产线开发膜系的能力和产量。磁控溅射靶的功率密度一般13W/ cm 2, 比直流溅射要高得多。但实际的电源往往很难保证靶的功率。没有大的功率就没有高沉积速率,而高沉积速率是现代镀膜所推崇的。电源的并联是增强功率的一个途径。平面磁控靶的结构分为直冷式和间冷式两类。直冷式适合于气密性好的靶材。由于冷却效果好, 功率更大一些。浙江磁控镀膜机采购可用磁控溅射方法在柔性基材上镀制各种介质膜。

要获得结合牢固、致密、无针洞缺陷的膜层, 必须使膜层沉积在清洁、具有一定温度甚至是启用的基片上。为此前处理的过程包括机械清洗(打磨、毛刷水洗、去离子水冲洗、冷热风刀吹净)、烘烤、辉光等离子体轰击等。机械清洗的目的是去除基片表面的灰尘和可能残留的油渍等异物, 并且不含活性离子, 必要时还可采用超声清洗。烘烤的目的是彻底去除基片表面残余的水份, 并使基片加热到一定的温度, 很多材质在较高的基片温度下可以增强结合力和膜层的致密性。基片的烘烤可以在真空室外进行, 也可以在真空室内继续进行, 以获得更好的效果。但在真空室内作为提供热源的电源应有较低的电压, 否则易于引起放电。辉光等离子体轰击清洗可以进一步除去基片表面残留的不利于膜层沉积的成份, 同时可以提高基片表面原子的活性, 更有利于基片与沉积的材质原子产生牢固的结合。使用中频电源会取得比直流放电更明显的效果。

磁控溅射镀膜设备的磁控溅射靶是采用静止电磁场,而磁场是曲线型的,对数电场用于同轴圆柱形靶;均匀电场用于平面靶;S-靶则位于两者间。各部分的原理是一样的。电子受电场影响而加速飞向基材,在此过程中跟氩原子触发碰撞。如果电子本身足够30eV的能量的话,则电离出Ar⁺同时产生电子。电子依旧飞向基材,而Ar⁺受电场影响会移动到阴极(也就是溅射靶),同时用一种高能量轰击靶的表面,也就是让靶材发生溅射。在这些溅射粒子中,中性的靶分子或原子会沉积在基片上而成膜;而二次电子在加速飞向基材时,在磁场的洛仑兹力影响之下,呈现螺旋线状与摆线的复合形式在靶表面作一系列圆周运动。该电子不但运动路径长,还是被电磁场理论束缚在靠近靶表面的等离子体区域范围内。于此区内电离出大量的Ar⁺对靶材进行轰击,所以说磁控溅射镀膜设备的沉积速率高。磁控溅射工艺可以很好地控制膜层成分、膜厚、膜厚均匀性和膜层机械性能等。

镀制好的基片从真空室内输送到大气中后, 一般还要经过清洗及检测。清洗的要求没有前处理那么严格。目的是使膜层的缺陷更容易暴露出来, 以便在后续的检测中被发现。较简单的检测就是目测, 为便于观察, 基片的底部分布有光源, 可以发现针洞的存在和数量, 有无放电的痕迹。出线端的透过率检测仪可以指出膜层之后的透过率。也可以在基片范围内布置多道探头, 采集数据由计算机处理来评估膜层的纵向和横向的均匀性及有无异常。对于特殊用途的光学薄膜出线后即进入净化室, 覆上一层保护用的带胶薄膜后存放。真空蒸镀是将工件装入电镀机内,然后将室内空气抽走,达到一定的真空度后,将室内的钨丝通电加热。扬州磁控镀膜机出售

镀膜是在表面镀上非常薄的透明薄膜。徐州磁控镀膜机定制

磁控溅射工艺具备以下特点: 1、沉积速率大。由于采用高速磁控电极,可获得的离子流很大,有效提高了此工艺镀膜过程的沉积速率和溅射速率。与其它溅射镀膜工艺相比,磁控溅射的产能高、产量大、于各类工业生产中得到普遍应用。 2、功率效率高。磁控溅射靶一般选择200V-1000V范围之内的电压,通常为600V,因为600V的电压刚好处在功率效率的较高有效范围之内。 3、溅射能量低。磁控靶电压施加较低,磁场将等离子体约束在阴极附近,可防止较高能量的带电粒子入射到基材上。 4、基片温度低。可利用阳极导走放电时产生的电子,而不必借助基材支架接地来完成,可以有效减少电子轰击基材,因而基材的温度较低,非常适合一些不太耐高温的塑料基材镀膜。徐州磁控镀膜机定制

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