多定位闸阀HV GATE VALVE

微泰，铝闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。期特点是*不论什么工艺的设备都可以使用*由半永久性陶瓷球和弹簧组成*应用:隔离泵。铝闸阀规格如下：驱动方式：手动、法兰尺寸：1.5英寸~ 10英寸、阀体：AL6061 (Anodizing)、机械装置：AL6061 (Anodizing)、阀门：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、响应时间≤ 3 sec、驱动器：气缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ℓ/sec、压力范围：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、开始时的压差：≤ 30 mbar、初次维护前可用次数100,000次、阀体温度≤ 120 °执行机构温度≤ 60 °C、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。可替代VAT阀门。高压闸阀，属于强制密封式阀门，所以在阀门关闭时，必须向闸板施加压力，以强制密封面不泄漏。多定位闸阀HV GATE VALVE

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，这里介绍一下阀门控制器-主控制器（Valve Controller Introduction）1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸-本地控制器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸 -遥控器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸。1，开放/关闭速度LCD显示；2，当阀门或泵错误时，灯点亮：3，自动关闭功能-防止泵跳闸中的逆流；4，有阀门开关位置的信号输出信号；5，锁定功能-本地/遥控器在解锁后进行快速操作；6，无噪音，功耗低；7，历史管理-打开/关闭/泵关闭等；8，UPS功能（1秒），微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。Diffusion闸阀ALUMINUM GATE VALVE控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀使用气动控制操作。

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。这节介绍加热闸阀、加热式闸阀护套、加热器插入式阀门。带加热器闸阀，加热器插入闸阀：产品范围：2~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：20万次•响应时间：0.2秒~3秒；客户指定法兰，加热温度：450℃；蝶形阀；蝶阀：产品范围：DN40、DN50隔离•泄漏率：1.0E-9mbar·l/秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司

微泰，高压闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 14英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：250,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。闸阀（gate valve）是一个启闭件闸板，闸板的运动方向与流体方向相垂直，闸阀只能作全开和全关。

微泰半导体闸阀与其他类型闸阀相比，具有以下一些优势：1. 高精度控制：能更精确地调节流体流量。2. 适应半导体环境：对温度、真空等条件有更好的适应性。3. 低颗粒产生：减少对晶圆等的污染。4. 长寿命和可靠性：确保稳定运行，减少维护成本。5. 多功能应用：可适用于多种半导体工艺设备。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。高压闸阀只许介质单向流动，安装时有方向性。它的结构长度大于闸阀，同时流体阻力大。溅射闸阀插板阀

闸阀的结构比较简单，一般由阀体、阀座、阀杆、闸板、阀盖、密封圈几部分组成。多定位闸阀HV GATE VALVE

微泰，三重防护闸阀、三防闸阀，应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• 涂层• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰三重防护闸阀、三防闸阀其特点是• 阀门控制器（1CH ~ 4CH）• 应用：半导体生产线中粉末和气体等副产品的处理，防止回流。三重防护闸阀、三防闸阀规格如下：操作：气动、法兰尺寸（内径） 2.5˝ ~ 10˝、法兰类型ISO，KF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型环/Kalrez O型环、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作压力范围： 1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、闸门上的压差； 1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。多定位闸阀HV GATE VALVE