韩国技术闸阀三星半导体

微泰，超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管（AM350或STS316L）、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：铜垫圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。为了避免在颗粒敏感应用中产生颗粒，滑动闸门机构的设计旨在避免阀壳处的摩擦。韩国技术闸阀三星半导体

微泰半导体闸阀具有诸多特点：其阀门驱动部分的所有滚子和轴承都经过精心防护处理，形成屏蔽和保护环（Shield Blocker 和 Protection Ring），通过三重预防方式有效切断粉末（Powder），从而延长阀门驱动及使用寿命。该闸阀采用的三重预防驱动方式中的 Shield 功能，能够出色地防止气体和粉末侵入阀体内部，同时具备三重保护驱动保护环，可延长 GV 寿命的 Shield 方法，并已供应给海外半导体 T 公司、M 公司和 I 公司的 Utility 设备。此外，挡板与阀体之间的距离小于 1mm，能够强力阻挡内部粉末和气体的流入，屏蔽挡板采用 1.5t AL 材料制成，充分考虑了其复原力，并通过 Viton 粉末热压工艺制成。而三重保护保护环的主要功能则包括：AL 材料的重量减轻和保护环内部照明的改善、保护环内部流速的增加以及三元环的应用确保了驱动性能的提升。韩国技术闸阀三星半导体闸板有刚性闸板和弹性闸板，根据闸板的不同，闸阀分为刚性闸阀和弹性闸阀。

微泰转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。它充当将位于工艺模块中的晶圆转移到工艺室的沟槽。此外，它极大限度地减少了由于闸板打开和关闭造成的真空压力变化，使腔室内的真空压力得以维持。负责门控半导体晶圆转移的转移阀分为两种类型:I型和L型。一、I型转移阀。I型转移阀产品由铝或不锈钢制成，用于传输晶圆小于450毫米的半导体系统和隔离工艺室。本型的特点是叶片在垂直方向上快速移动，确保完美的腔室压力维持。它采用具有LM导向系统和单连杆的内部机构，保证高耐用性和长寿命。二、L型转移阀。L型转移阀产品由铝或不锈钢制造，其特点是设计紧凑，易于维护。L型转移阀的特点是闸门在两个阶段从垂直到水平方向移动，确保完美的腔室压力维护。它的内部机构，包括一个LM导向系统和滞留弹簧和楔形营地结构，保证了高耐用性和长寿命，同时提供稳定和精确的运动。I型和L型转移阀在在闸门开启和关闭过程中极大限度地减少了振动，并且对温度变化非常稳定，确保了较长的使用寿命。此外，即使长时间使用栅极，它们产生的颗粒也很少，从而避免了晶圆缺陷或主器件的污染。微泰不断创新，在开发先进的压力控制和控制阀制造专业从事真空闸阀不懈努力。

微泰半导体闸阀的特点：已向中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备，设备厂批量供货，已得到品质认可，已完成对半导体Utility设备和批量生产设备的验证。1，采用陶瓷球机构，抗冲击和震动，保证使用25万次，检修方便，较低维护成本。2，无Particle（颗粒）产生，采用陶瓷球无腐蚀和颗粒产。3，屏蔽保护：屏蔽式保护功能，闸阀阀体与挡板之间的距离小于1mm，可防止粉末侵入阀内，寿命为半永久性。4，保护环：Protecrion Ring通过流速上升设计防止粉末凝固，并通过打磨（研磨）工艺防止粉末堆积。微泰半导体闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。为特定的真空系统和工艺选择适当尺寸和类型的真空闸阀对于确保高效运行和可靠的真空完整性至关重要。

半导体主加工设备腔内精确压力控制的解决方案，真空插板阀品牌—微泰。控制系统阀门是安装在半导体• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备中的主要阀门。控制系统阀门起到调节腔内压力的作用，通过控制系统自动调节闸板的开启和关闭。精确控制腔内压力的阀门分为三类：控制系统闸阀、蝶阀、多定位闸阀。控制系统和蝶阀使用步进电机操作，而多定位闸阀、多位置闸阀使用气动控制操作。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。真空闸阀对于隔离不同的真空室、控制工艺过程中的气流以及在不影响真空环境的情况下促进维护或维修很重要。小型闸阀手动阀

金属阀体衬里高压阀门主要有衬胶阀门、衬氟阀门、衬铅阀门、衬塑阀门、衬搪瓷阀门。韩国技术闸阀三星半导体

微泰，三重防护闸阀、三防闸阀，应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• 涂层• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰三重防护闸阀、三防闸阀其特点是• 阀门控制器（1CH ~ 4CH）• 应用：半导体生产线中粉末和气体等副产品的处理，防止回流。三重防护闸阀、三防闸阀规格如下：操作：气动、法兰尺寸（内径） 2.5˝ ~ 10˝、法兰类型ISO，KF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型环/Kalrez O型环、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作压力范围： 1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、闸门上的压差； 1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。韩国技术闸阀三星半导体