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  • 韩国技术闸阀英菲尼亚半导体,闸阀
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闸阀基本参数
  • 品牌
  • 微泰
  • 型号
  • ZF001
  • 材质
  • 不锈钢,铝合金,合金钢
  • 驱动方式
  • 气动,手动,电子
  • 连接形式
  • 法兰
  • 压力环境
  • 高压,低压
  • 工作温度区间
  • ≤ 200 °C
  • 适用介质
  • 水,蒸汽,氮气,空气
  • 外形
  • 中型
  • 流动方向
  • 双向
  • 类型(通道位置)
  • 二通式,直动式,直通式,先导式
  • 加工定制
  • 密封形式
  • 软密封型
  • 压力环境类型
  • 超高压阀(PN>100.0MPa),真空阀(PN<0.1MPa)
  • 标准
  • 日标,美标
闸阀企业商机

微泰,加热闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*使用加热套或内部加热器加热*加热控制器*应用:去除粉末/气体设备。加热闸阀规格如下:驱动方式:手动或气动、法兰尺寸:1.5英寸~ 12英寸、法兰类型:ISO、JIS、ASA、CF、连接方式:焊接波纹管、阀门密封:氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封:氟橡胶O型圈、响应时间:≤ 2 sec、操作压力范围:1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差:≤ 30 mbar、闸门的差动压力:1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数:200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料:阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置:任意、操作压力(N2):4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。非金属材料高压闸阀有陶瓷阀门、玻璃阀门、塑料阀门。韩国技术闸阀英菲尼亚半导体

闸阀

微泰,大闸阀、大型闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating(涂层)• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代VAT闸阀。微泰大闸阀、大型闸阀其特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:用于研发和工业的隔离阀。大闸阀、大型闸阀规格如下:驱动方式:气动、法兰尺寸(内径):16˝ ~ 30˝、 法兰型:ISO、JIS、ASA 、馈通:Viton O-Rin、阀门密封:氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封:氟橡胶O型圈、响应时间:可调节、工作压力范围:1×10-8 mbar to 1000 mbar 、维护前可用次数:10,000 ~ 100,000次、开启时压差 ≤ 30 mba、泄漏率 < 1×10 -9  mbar ℓ/sec、阀体温度≤ 150 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料:阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置:任意、操作压力(N2):6~ 8 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩,上海安宇泰环保科技有限公司。 晶圆闸阀三星半导体闸阀(gate valve)是一个启闭件闸板,闸板的运动方向与流体方向相垂直,闸阀只能作全开和全关。

韩国技术闸阀英菲尼亚半导体,闸阀

微泰,三(多)位闸阀、三位闸阀、多位闸阀应用于• 蒸发•溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• 涂层• 蚀刻• 扩散•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*3个位置功能-阀门打开,阀门关闭,第3位置*设备可通过连接到阀门的9 Pin D-Sub来读取阀门状态*手动和气动阀门组合*应用:需要压力控制的任何其他过程*应用:需要压力控制的地方。三位闸阀、多位闸阀规格如下:驱动方式:气动、法兰尺寸:2.5英寸~ 12英寸、法兰类型ISO, JIS, ASA, CF、连接方式:焊接波纹管、阀门密封:氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封:Viton O型圈、响应时间:≤ 2 sec、操作压力范围:2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差:≤ 30 mbar、闸门的差动压力:1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数:200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料:阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置:任意、操作压力(N2):4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩

半导体主加工设备腔内精确压力控制的解决方案,真空插板阀品牌—微泰。控制系统阀门是安装在半导体• Evaporation(蒸发)• Sputtering(溅射)• Diamond growth by MW-PACVD(通过MW-PACVD生长金刚石)• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)• Coating(涂层)• Etch(蚀刻)• Diffusion(扩散)•CVD(化学气相沉积)等设备中的主要阀门。控制系统阀门起到调节腔内压力的作用,通过控制系统自动调节闸板的开启和关闭。精确控制腔内压力的阀门分为三类:控制系统闸阀、蝶阀、多定位闸阀。控制系统和蝶阀使用步进电机操作,而多定位闸阀、多位置闸阀使用气动控制操作。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。真空闸阀由一个滑动门或板组成,可以移动以阻止或允许通过真空阀体,从而有效地将腔室与外部环境隔离。

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微泰,屏蔽闸阀应用于• Evaporation(蒸发)• 溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)• Coating(涂层)• Etch• Diffusion•CVD(化学气相沉积)等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*阀体和阻断器之间的间隙小于1mm*防止流入的气体(粉末)进入阀体内部*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵,气流中的高水平工艺。屏蔽闸阀规格如下:驱动方式:手动或气动、法兰尺寸:2.5英寸~ 10英寸、法兰类型:ISO, JIS, ASA, CF、连接方式:焊接波纹管、阀门密封:氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封:Viton O型圈、响应时间:≤ 2 sec、操作压力范围:2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar,8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差:≤ 30 mbar、闸门的差动压力:2.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率:< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数:200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料:阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置:任意、操作压力(N2):4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩闸阀按闸板结构形式分为单闸板和双闸板两种。加热闸阀

闸阀启闭时较省力。是与截止阀相比而言,因为无论是开或闭,闸板运动方向均与介质流动方向相垂直。韩国技术闸阀英菲尼亚半导体

微泰半导体闸阀的工作原理主要是通过闸板的升降来控制流体的通断。当闸板升起时,闸阀打开,允许流体通过;当闸板降下时,闸阀关闭,阻止流体通过。在具体工作中,它利用各种机构和设计来实现精确的控制和可靠的密封,以满足半导体设备中对工艺控制的要求。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation(蒸发)、Sputtering(溅射)、Diamond growth by MW-PACVD(通过 MW-PACVD 生长金刚石)、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)(集群、卷对卷)、Coating(涂层)、Etch(蚀刻)、Diffusion(扩散)、CVD(化学气相沉积)等设备上,可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。韩国技术闸阀英菲尼亚半导体

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