HV闸阀角控制阀

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，晶圆输送阀Transfer Valve，传输阀、转换阀、输送阀、转移阀是安装在半导体PVDCVD设备工艺模块和工艺室之间的阀门系统。I型输送阀，-闸门动作时无震动或冲击-通过馈通波纹管Feedthrough bellows防止阀体污染，确保高耐用性-采用LM导轨和单链路（LM-guide&Single Link）结构/小齿轮驱动方式，使其具有简单的运动、耐用性和高精度。I型输送阀有爪式（Jaw type）和夹式（Clamp type）。微泰晶圆输送阀Transfer Valve，传输阀、转换阀、输送阀、转移阀Butterfly Valve有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。真空闸阀是真空系统中用于控制气体进出真空室的机械装置。HV闸阀角控制阀

微泰，专门用闸阀应用于• Evaporation• Sputtering• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD• Coating• Etch• Diffusion（扩散）•CVD等设备上。可替代VAT闸阀。期特点是*使用维修配件工具包易于维护*将电磁阀和位置传感器连接到15针D-Sub*锁定功能*限位开关*•速度控制器&电磁阀（2Port+N2Port）用不锈钢管连接（φ6）*应用:泵隔离,产品工艺水平要求高的地方。专门用闸阀规格如下：驱动方式：气动、法兰尺寸：4英寸~ 8英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 12˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：4˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、Micron,Global Foundries、英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体业绩。

超大型真空闸阀SHIELD GATE VALVE闸阀形体简单，结构长度短，制造工艺性好，适用范围广。

微泰半导体闸阀具有独特的特点：其插板阀主滑阀采用球机构方式，并且在量产工艺设备上经过了性能验证。该闸阀由半永久性钢球陶瓷和板簧组成，陶瓷与金属接触驱动时不会产生颗粒。目前已向中国台湾的 Micron、UMC、AKT，新加坡的 Micron、Global Foundries，马来西亚的英菲尼亚半导体，日本的 Micron、三星半导体等众多设备厂批量供货，且品质得到认可，同时也完成了对半导体 Utility 设备和批量生产设备的验证。与其他厂家闸阀的金属与金属接触驱动会产生大量颗粒不同，微泰半导体闸阀采用钢陶瓷球，在与金属摩擦时不会损坏，且金属与陶瓷球之间不会产生 Particle。半永久板簧（SUS 钢板）的应用确保了阀门驱动的同步性，同时还采用了固定球导向器和钢陶瓷。微泰半导体闸阀广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVIA闸阀、VAT 闸阀。此外，该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。

微泰，多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀其特点是•操作模式：本地和远程•紧急情况：自动关闭•慢速泵送功能。多位闸阀，多位置闸阀，多定位闸阀规格如下：材料：阀体 STS304， 机制 STS304、法兰尺寸(内径) 4英寸~10英寸、闸门密封 FKM(VITON)、开/关振动 无振动、He泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、闸门压差 ≤1.4 bar、分子流动电导（ISO100）1891 l/s、阀座 1X10-10 mbarㆍL/秒、泄漏率阀体 1X10-10 mbarㆍL/Sec、压力范围 1X10-10mbar 至 1.4 bar、闸门上任一方向的压差≤1.4 bar、安装位置：任意。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 闸阀的结构紧凑，阀门刚性好，通道流畅，流阻数小，密封面采用不锈钢和硬质合金，使用寿命长。

微泰，三重防护闸阀、三防闸阀，应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD• 涂层• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。微泰三重防护闸阀、三防闸阀其特点是• 阀门控制器（1CH ~ 4CH）• 应用：半导体生产线中粉末和气体等副产品的处理，防止回流。三重防护闸阀、三防闸阀规格如下：操作：气动、法兰尺寸（内径） 2.5˝ ~ 10˝、法兰类型ISO，KF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型环/Kalrez O型环、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作压力范围： 1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、闸门上的压差； 1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。闸板有刚性闸板和弹性闸板，根据闸板的不同，闸阀分为刚性闸阀和弹性闸阀。超大型真空闸阀英菲尼亚半导体

高压闸阀结构简单，制造和维修比较方便。工作行程小，启闭时间短。密封性好，密封面间磨擦力小，寿命较长。HV闸阀角控制阀

微泰，超高压闸阀应用于• Evaporation• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• 蚀刻• Diffusion•CVD等设备上。期特点是*陶瓷球机构产生的低颗粒*使用维修配件工具包易于维护*应用:研发和工业中的UHV隔离。高压闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法兰类型：CF、连接方式：焊接波纹管（AM350或STS316L）、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：铜垫圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：1.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 14˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：1.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 14˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304或316L)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。HV闸阀角控制阀