近期,基板质量的进步已经导致SiC器件的良率和可靠性的显着提高。衬底的这种可用性以及更高的可用性极大地提高了这些晶体管的效率和制造成本,从而促进了它们在诸如车载充电器和牵引逆变器之类的电动汽车系统中的普遍采用。凭借SiC晶体管可实现更高效率和更高的开关频率,从而减小了磁性元件的尺寸,WBG材料推动了SiC在工业市场上许多功率转换领域的采...
查看详细 >>石油焦增碳剂主要产于辽宁,天津和山东,辽宁主要生产弹丸焦,用于铸造不太好,山东和天津的石油焦可以用于铸造灰铸铁。成分一般为C:96-99%;S0.3-0.7%。主要用于炼钢,灰铸铁,刹车片,包芯线等等。石墨化增碳剂主要产地为山东,河南等,生产厂家较少,主要材质是石墨化石油焦和石墨化电极。一般成分为碳含量>98-99.5%;硫96%,挥发...
查看详细 >>碳化硅器件的极限工作温度有望达到 600℃以上, 而硅器件的较大结温只为 150℃。碳化硅器件抗辐射能力较强,在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。碳化硅器件对电动车充电模块性能的提升主要体现在三方面: (1)提高频率,简化供电网络; (2)降低损耗,减少温升。 (3)缩小体积,提升效率。较大的增长机会在汽车领域,尤其是电动汽车。...
查看详细 >>因此,在实际生产中应强调增碳剂的使用和增碳效果: ①增碳剂的吸收率与其 C 含量直接相关,C 含量越高,则吸收率越高。 ②增 碳剂的粒度是影响其溶入铁水的主要因素,实践证明,增碳剂的粒度应以 1~4mm 为好,有微粉和粗 粒增碳效果都不好。 ③硅对增碳效果有较大影响,高硅铁水增碳性差,增碳速度慢,故硅铁应在增 碳到位后加入,要遵循先增碳...
查看详细 >>锰铁成渣过早会改变上层炉料导电结构和炉膛温度分布。SiO2含量高的锰铁融化温度较低,成渣较早;初渣中MnO和SiO2的活度较低,不利于锰和硅的还原。与之相反,CaO和MgO含量高的锰铁,更适合生产的硅锰合金。锰铁中游离的(即不以硅酸盐或硅铝酸盐的形态存在的)MnO在熔化时以方锰铁的形式存在,与溶于初渣的MnO平衡,渣中MnO的活度较大,对...
查看详细 >>铁液的搅拌可以促进增碳,因此搅拌力弱的中频感应电炉与搅拌力强的工频感应电炉比较,增碳相对困难得多,所以中频感应电炉有增碳跟不上金属炉料的熔解速度的可能性。即使是搅拌力强的工频感应电炉,增碳操作也不能忽视。这是因为,从感应电炉熔炼的原理图可知,感应电炉内存在上下分开的搅拌铁流,在其边界的炉壁附近还存在着死角。在炉壁停留、附着的石墨团如果不...
查看详细 >>选用石墨粉做增碳剂,吹入量为40kg/t,预期能使铁液含碳量从2%增到3%。随着铁液碳含量逐渐升高,碳量利用率下降,增碳前铁液温度1600℃,增碳后平均为1299℃。喷石墨粉增碳,一般采用氮气做载体,但在工业生产条件下,用压缩空气更方便,而且压缩空气中的氧燃烧产生CO,化学反应热可补偿部分温降,而且CO的还原气氛利于改善增碳效果。可将1...
查看详细 >>主要用于制作砂轮、砂纸、砂带、油石、磨块、磨头、研磨膏及光伏产品中单晶硅、多晶硅和电子行业的压电晶体等方面的研磨、抛光等。可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂,可用做制造四氯化硅的原料,是硅树脂工业的主要原料。碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂,取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧,和原工艺相比各项理化性能更加稳定,脱氧效果好,使脱氧时间缩短...
查看详细 >>目前已知的碳化硅有约200种晶体结构形态,分立方密排的闪锌矿α晶型结构(2H、4H、6H、15R)和六角密排的纤锌矿β晶型结构(3C-SiC)等。其中β晶型结构(3C-SiC)可以用来制造高频器件以及其他薄膜材料的衬底,例如用来生长氮化镓外延层、制造碳化硅基氮化镓微波射频器件等。α晶型4H可以用来制造大功率器件;6H较稳定,可以用来制作...
查看详细 >>碳化硅器件的极限工作温度有望达到 600℃以上, 而硅器件的较大结温只为 150℃。碳化硅器件抗辐射能力较强,在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。碳化硅器件对电动车充电模块性能的提升主要体现在三方面: (1)提高频率,简化供电网络; (2)降低损耗,减少温升。 (3)缩小体积,提升效率。较大的增长机会在汽车领域,尤其是电动汽车。...
查看详细 >>由于相比硅基半导体在材料特性上有所差异,SiC(碳化硅)半导体具备比硅基半导体更好的高频、大功率、高辐射性能。碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微...
查看详细 >>与传统硅基器件相比,SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍,导热系数是传统硅基器件的3倍,非常适合于高压应用,如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外,SiC还用于制造LED。碳化硅材料各项指标均优于硅,其禁带宽度几乎是硅的3倍,理论工作温度可达600℃,远高于硅器件工作温度。技术成熟度较高,应用潜力较大。碳化硅器件具有更低的导通电...
查看详细 >>