全SiC模块的功率密度比IGBT模块要高得多,甚至在开关频率低于5kHz时。因此,通过使用更大的芯片面积来优化用于低开关频率的全SiC模块是可能的。 只要SiC芯片尺寸合适,SiC器件可以在普遍的开关频率范围内提供更高的输出电流和输出功率。大功率要求功率芯片和模块大量并联。目前,可以获得额定电流高达200A的硅IGBT和传统续流二极管,SiC MOSFET和肖特基二极管的较大额定电流迄今为止小于100A。因此,不得不并联大量的SiC晶片以实现大额定功率。考虑到SiC器件的快速开关特性和振荡趋势,需要低电感模块设计和DCB基板上优化的芯片布局。在下文中,1200V、900A全SiC模块与1300A的常规硅模块相对比。 IGBT模块利用2块并联的DCB基板,每个基板配有并联的9个75A沟道IGBT,连同5个100A CAL续流二极管。中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体。嘉定区碳化硅费用
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。 崇明区碳化硅厂家有哪些μ-碳化硅较为稳定,且碰撞时有较为悦耳的声音,但直至现在,这两种型态尚未有商业上之应用。
利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性,碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等;用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料;还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等。此外,碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。
从出口 13个关别分析,天津港走货量高达9.16万吨,占出口总量的55.64%,仍位列一;青岛、大连、南京和上海港分别占15.98%、13.14%、11.49%和3.08%,位列第二至五位,其中大连关出货量同比下滑幅度较高;以上5个关别出口量总和占出口总量的99.33%。从各月出口情况分析,出口量上半年逐月提高,下半年跳跃较大,但当月平均单价一降再降,第二季度全方面跌破2000美元,三季度末止跌回稳,但只在9月站上了2000美元,便又在第四季度一路下滑,全年较低价格出现在11月,为1345.58美元/吨,比全年2月的较高价格下跌了42.1%。 具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的主选窑具材料之一。
2012年全年中国黑碳化硅产能没有正常释放,一方面是成交缓慢,库存消耗慢,占压资金量大,另一方面是下游玩业消费商回款时间长,欠款现象严重,导致某些企业资金链紧张。2012年中国黑碳化硅的主产地为宁夏和甘肃,青海和新疆的原有产能逐渐被淘汰,加上湖北丹江口弘源的冶炼产能,共计76.9万吨, 2012年总产量约为34万吨,黑碳化硅冶炼企业的产能利用率约为44.5%。中国绿碳化硅冶炼的主产地是甘肃、青海、新疆和四川。四川主要靠水力发电站供电,受到枯水期电力短缺的影响,一年的生产时间只在4-10月份,较长能坚持6个月的生产,但四川的冶炼炉几乎没有正常开工,主要因为市场需求疲软,库存难以消耗。碳化硅比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。奉贤区碳化硅价格是多少
用以制成的耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。嘉定区碳化硅费用
目前用直拉法,72小时能生长出2-3米左右的硅单晶棒,一根单晶棒一次能切下上千片硅片。你知道72小时能长多少厚碳化硅单晶体吗?只有几厘米都不到!!!目前较快的碳化硅单晶生长的方法,生长速度在0.1mm/h-0.2mm/h左右,因此72小时也只有7.2mm~14.4mm厚度的晶体。所以大家可以想象,生产出来的碳化硅单晶片能贵成啥样了。目前4英寸碳化硅衬底售价在2000-3000元左右,6英寸衬底更是达到6000-8000元的水平,外延片至少再X2的价格以上,而且还有价无货。嘉定区碳化硅费用