利用良好的导热和热稳定性,作热交换器,燃耗减少20%,节约燃料35%,使生产率提高20-30%,特别是矿山选厂用排放输送管道的内放,其耐磨程度是普通耐磨材料的6-7倍。磨料粒度及其组成按GB/T2477--83。磨料粒度组成测定方法按GB/T2481--83。合成碳化硅(Synthetic Moissanite)又名合成莫桑石、合成碳硅石(化学成分SiC),色散0.104,比钻石(0.044)大,折射率2.65-2.69(钻石2.42),具有与钻石相同的金刚光泽,“火彩”更强,比以往任何仿制品更接近钻石。要注意:它与天然金刚砂(石榴子石)的成分不同。杨浦区碳化硅厂商
许多物质化合物以称为多晶型物的不同晶体结构存在。碳化硅在这方面非常独特,因为研究人员已经鉴定出250多种不同的碳化硅多晶型物。3C-SiC和4H-SiC由于其优越的半导体性能而成为较常用的多型体。本文使用的SiC晶体管基于4H-SiC。用eV表示的能隙是结晶固体中电子的导带底部和价带顶部之间的差。半导体表现出1 eV
由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的主选窑具材料之一,它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等。制备SiC制品首先要制备SiC冶炼块[或称:SiC颗粒料,因含有C且超硬,因此SiC颗粒料曾被称为:金刚砂。
但要注意:它与天然金刚砂(石榴子石)的成分不同。在工业生产中,SiC冶炼块通常以石英、石油焦等为原料,辅助回收料、乏料,经过粉磨等工序调配成为配比合理与粒度合适的炉料(为了调节炉料的透气性需要加入适量的木屑,制备绿碳化硅时还要添加适量食盐)经高温制备而成。高温制备SiC冶炼块的热工设备是专门用的碳化硅电炉,其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为:电炉中心的通电发热体,一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料中心,一般为圆形或矩形。其两端与电极相连)等组成。碳化硅在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用普遍、经济的一种。
SiC 主要应用于微波领域,非常适合在雷达发射机中使用;使用它可明显提高雷达发射机的输出功率和功率密度,提高工作频率和工作频带宽度,提高雷达发射机的环境温度适应性,提高抗辐射能力。和普通硅(Si)功率器件相比,碳化硅(SiC)功率器件所具有的优势非常明显。虽然碳化硅功率器件的市场化推广还处于起步阶段,但其应用前景广大,发展速度迅猛,在“低碳”经济理念的推动下,必将加快其发展步伐。航天电子产品对其重量、体积、功耗和抗辐射程度都有严格的要求,碳化硅功率器件的出现及进一步推广,必将对今后航天电子产品的开发产生深远影响。在实验室偶然发现的一种碳化物。松江区碳化硅厂家电话 要制成碳化硅微粉还要经过水选过程,要做成碳化硅制品还要经过成型与结烧的过程。杨浦区碳化硅厂商
碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为较常见的一种同质异晶物,在高于2000 °C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石相似,则在低于2000 °C生成,结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,而另一种碳化硅,μ-碳化硅较为稳定,且碰撞时有较为悦耳的声音,但直至现在,这两种型态尚未有商业上之应用。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700 °C) [1] ,碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高较大电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。
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