青浦区碳化硅厂家

碳化硅是全球较先进的第三代半导体材料。和一代的硅、第二代的砷化镓材料相比，它具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的重要材料，尤其是在航天、**等领域有着不可替代的优势。N型碳化硅晶片的作用是用于制造电力电子器件，可用于电动汽车。据介绍，目前的电动汽车续航还是个问题。如果用上碳化硅晶片的话，就能在电池不变的情况下，使汽车的续航力增加10%左右。虽然碳化硅在电动汽车上的应用才刚刚起步，但每生产一辆电动汽车，至少要消耗一片碳化硅，按照我国电动汽车保有量每年增长70%的速度来看，碳化硅只在电动汽车领域就将带动一个千亿级的产业集群。具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的主选窑具材料之一。青浦区碳化硅厂家

于常规硅二极管相比，SiC肖特基二极管的反向恢复电流IRRM要低50%以上，反向恢复电荷QRR降低了14倍，关断损耗Eoff降低了16倍。Si-快速二极管显示了比常规硅二极管更好的特性，但它不会达到SiC肖特基二极管那样的优异动态特性。由于SiC肖特基二极管动态损耗低，可以明显减少逆变器损耗，节约用于冷却的开支并且增加逆变器的功率密度。此外，低动态损耗使SiC肖特基二极管非常适合高开关频率。另一方面，快速开关的续流二极管可能有个缺点，反向电流非常陡峭的下降可能导致电流截止和振荡。上海碳化硅制造商黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅。

开关频率高于20KHz时，全SiC模块的输出功率比IGBT模块高100%以上。此外，输出功率对开关频率的依赖也小。反过来，全SiC功率模块可用于非常高的开关频率，因为与10kHz时的输出功率相比，40kHz时的输出功率只低28%。当开关频率低于5kHz时，IGBT模块显示出较高的输出功率。这是以内全SiC的模块中所用的SiC芯片组是针对非常高的开关频率而优化的。针对较低开关频率的优化也是可能的。再次，通过考虑用于硅和SiC芯片的芯片面积，来处理这两个模块的功率密度是有用的。在图4b中，输出功率除以芯片面积得到功率密度。

利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性，碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料，如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等；用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料；还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等。此外，碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 μ-碳化硅较为稳定，且碰撞时有较为悦耳的声音，但直至现在，这两种型态尚未有商业上之应用。长宁区碳化硅供应商

α-碳化硅为较常见的一种同质异晶物。青浦区碳化硅厂家

碳化硅器件的极限工作温度有望达到 600℃以上, 而硅器件的较大结温只为 150℃。碳化硅器件抗辐射能力较强,在航空等领域应用可以减轻辐射屏蔽设备的重量。碳化硅器件对电动车充电模块性能的提升主要体现在三方面： （1）提高频率，简化供电网络； （2）降低损耗，减少温升。 （3）缩小体积，提升效率。较大的增长机会在汽车领域，尤其是电动汽车。基于SiC的功率半导体用于电动汽车的车载充电装置，而这项技术正在进入系统的关键部分——牵引逆变器。牵引逆变器为电动机提供牵引力，以推动车辆前进。SiC正在进军车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。车载充电器通过电网为车辆充电。青浦区碳化硅厂家

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