碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种,都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%,其韧性高于绿碳化硅,大多用于加工抗张强度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上,自锐性好,大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅,它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体,用以制作的磨具适于轴承的超精加工,可使表面粗糙度从Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。 碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。黄浦区碳化硅生产公司
全SiC模块的功率密度比IGBT模块要高得多,甚至在开关频率低于5kHz时。因此,通过使用更大的芯片面积来优化用于低开关频率的全SiC模块是可能的。 只要SiC芯片尺寸合适,SiC器件可以在普遍的开关频率范围内提供更高的输出电流和输出功率。大功率要求功率芯片和模块大量并联。目前,可以获得额定电流高达200A的硅IGBT和传统续流二极管,SiC MOSFET和肖特基二极管的较大额定电流迄今为止小于100A。因此,不得不并联大量的SiC晶片以实现大额定功率。考虑到SiC器件的快速开关特性和振荡趋势,需要低电感模块设计和DCB基板上优化的芯片布局。在下文中,1200V、900A全SiC模块与1300A的常规硅模块相对比。 IGBT模块利用2块并联的DCB基板,每个基板配有并联的9个75A沟道IGBT,连同5个100A CAL续流二极管。闵行区碳化硅多少钱工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色。
该电炉所用的烧成方法俗称:埋粉烧成。它一通电即为加热开始,炉心体温度约2500℃,甚至更高(2600~2700℃),炉料达到1450℃时开始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃时形成),且放出CO。。然而,≥2600℃时SiC会分解,但分解出的Si又会与炉料中的C生成SiC。每组电炉配备一组变压器,但生产时只对单一电炉供电,以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率,大功率电炉要加热约24 h,停电后生成SiC的反应基本结束,再经过一段时间的冷却就可以拆除侧墙,然后逐步取出炉料。
碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为较常见的一种同质异晶物,在高于2000 °C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石相似,则在低于2000 °C生成,结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,而另一种碳化硅,μ-碳化硅较为稳定,且碰撞时有较为悦耳的声音,但直至现在,这两种型态尚未有商业上之应用。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700 °C) [1] ,碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高较大电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。 碳化硅适合做为轴承或高温炉之原料物件。
2012年全年中国黑碳化硅产能没有正常释放,一方面是成交缓慢,库存消耗慢,占压资金量大,另一方面是下游玩业消费商回款时间长,欠款现象严重,导致某些企业资金链紧张。2012年中国黑碳化硅的主产地为宁夏和甘肃,青海和新疆的原有产能逐渐被淘汰,加上湖北丹江口弘源的冶炼产能,共计76.9万吨, 2012年总产量约为34万吨,黑碳化硅冶炼企业的产能利用率约为44.5%。中国绿碳化硅冶炼的主产地是甘肃、青海、新疆和四川。四川主要靠水力发电站供电,受到枯水期电力短缺的影响,一年的生产时间只在4-10月份,较长能坚持6个月的生产,但四川的冶炼炉几乎没有正常开工,主要因为市场需求疲软,库存难以消耗。碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。虹口区碳化硅报价多少钱
炼得的碳化硅块,经破碎、酸碱洗、磁选和筛分而制成各种粒度的产品。黄浦区碳化硅生产公司
碳化硅可以抵受的电压或电场八倍于硅或砷化镓, 特别适用于制造高压大功率器件如高压二极管、功率三极管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可让碳化硅器件紧密排列, 有利于提高封装密度。碳化硅是热的良导体, 导热特性优于任何其它半导体材料。事实上, 在室温条件下, 其热传导率高于任何其它金属,这使得碳化硅器件可在高温下正常工作。为采用SiC SBDs的小功率EV 车载逆变器散热片体积和采用传统Si基半导体器件散热片体积的对比,可看出,采用SiCSBDs 器件散热片的体积有效减小。对于主流的大功率HEV,一般包含两套水冷系统,一套是引擎冷却系统,冷却温度约105℃,另一套是电力电子设备的冷却系统,冷却温度约为70℃。 黄浦区碳化硅生产公司
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