碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体产业的基石是芯片,制作芯片的重要材料按照历史进程分为:一代半导体材料(大部分为目前普遍使用的高纯度硅),第二代化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟),第三代化合物半导体材料(碳化硅、氮化镓) 。碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来较被普遍使用的制作半导体芯片的基础材料。 要注意:它与天然金刚砂(石榴子石)的成分不同。普陀区碳化硅批发报价
该电炉所用的烧成方法俗称:埋粉烧成。它一通电即为加热开始,炉心体温度约2500℃,甚至更高(2600~2700℃),炉料达到1450℃时开始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃时形成),且放出CO。。然而,≥2600℃时SiC会分解,但分解出的Si又会与炉料中的C生成SiC。每组电炉配备一组变压器,但生产时只对单一电炉供电,以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率,大功率电炉要加热约24 h,停电后生成SiC的反应基本结束,再经过一段时间的冷却就可以拆除侧墙,然后逐步取出炉料。松江区碳化硅有哪些品牌碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化硅)。
尽管当前可用的基于Si的晶体管已接近其在*面积极限上的R ,但生产SiC器件的技术仍处于学习曲线的早期阶段。因此,我们可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是,对于给定的导通电阻和击穿电压,SiC MOSFET所需的管芯面积比常规硅MOSFET显着更少。因此,它将具有较小的电容和较低的栅极电荷,这转化为较低的开关损耗和较高的效率。较高的导热率反映为较低的热阻。SiC MOSFET的面积相等时,其热阻要低得多,从而可以降低工作结温。尽管先前描述了所有优点,但以前SiC晶体管的高成本使其只能用于优越工业市场(例如,石油钻探电源,电源系统等)的专门用应用中。影响其成本的主要因素归因于诸如SiC衬底的成本较高和可用性较低,SiC制造工艺的成本较高以及生产率较低(主要归因于衬底的缺陷密度较高)等因素。
碳化硅是全球较先进的第三代半导体材料。和一代的硅、第二代的砷化镓材料相比,它具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性,是卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的重要材料,尤其是在航天、**等领域有着不可替代的优势。N型碳化硅晶片的作用是用于制造电力电子器件,可用于电动汽车。据介绍,目前的电动汽车续航还是个问题。如果用上碳化硅晶片的话,就能在电池不变的情况下,使汽车的续航力增加10%左右。虽然碳化硅在电动汽车上的应用才刚刚起步,但每生产一辆电动汽车,至少要消耗一片碳化硅,按照我国电动汽车保有量每年增长70%的速度来看,碳化硅只在电动汽车领域就将带动一个千亿级的产业集群。晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用较普遍、较经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2。碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大家常说的艾奇逊炉,一直沿用至今,以碳质材料为炉芯体的电阻炉,通电加热石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。 碳化硅主要有四大应用领域,即:功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。松江区碳化硅有哪些品牌
碳化硅不仅能减少窑具容量,还提高了窑炉的装容量和产品质量。普陀区碳化硅批发报价
碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为较常见的一种同质异晶物,在高于2000 °C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石相似,则在低于2000 °C生成,结构如页面附图所示。虽然在异相触媒担体的应用上,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,而另一种碳化硅,μ-碳化硅较为稳定,且碰撞时有较为悦耳的声音,但直至现在,这两种型态尚未有商业上之应用。因其3.2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700 °C) [1] ,碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件。在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性。由于其高热导性、高崩溃电场强度及高较大电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅。此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属。 普陀区碳化硅批发报价
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