黄浦区碳化硅哪里有

由于相比硅基半导体在材料特性上有所差异，SiC(碳化硅)半导体具备比硅基半导体更好的高频、大功率、高辐射性能。碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm²。黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优越硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分。黄浦区碳化硅哪里有

对比热数据，全SiC模块显示出比传统硅模块更低的热阻。这是由于与Si相比，SiC具有更高的热传导率和更好的热扩散能力：在此布局中，4个SiC二极管芯片在相同的空间上代替1个硅二极管。SiC器件更低的热阻是特别重要的，因为在这种情况下硅芯片使用了21 cm2的总面积，而全SiC模块只用了10 cm2。与硅模块的通态损耗相比，全SiC模块的通态损耗更高。SiC肖特基二极管的正向压降也是这样。全SiC模块的动态损耗非常低：SiC MOSFET的开关损耗比硅IGBT低4倍，SiC肖特基二极管的损耗低8-9倍。 上海碳化硅批发α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。

高温煅烧后的炉料从外到内分别是：未反应料（在炉中起保温作用）、氧碳化硅（半反应料，主要成分是C与SiO)、粘结物层（是粘结很紧的物料层，主要成分是C、SiO2、40%～60%SiC以及Fe、Al、Ca、Mg的碳酸盐）、无定形物层（主要成分是70%～90% SiC，而且是立方SiC 即 β-sic，其余是C、SiO2及Fe、A1、Ca、Mg的碳酸盐）、二级品SiC层（主要成分是90%～95%SiC，该层已生成六方SiC，但结晶体较小、很脆弱，不能作为磨料）、一级品SiC（(SiC含量<96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大结晶体）、炉芯体石墨。

碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。

由于二极管是基于10A额定电流进行比较的，考虑不同供应商的器件之间有时不同的额定电流定义是很重要的。为了更加深入地了解器件性能，画出电流密度（正向电流除以芯片面积）与正向压降之间的关系是有用的，它考虑到了芯片的面积。显示了等效电流密度，传统硅二极管和SiC肖特基二极管具有非常相似的正向压降，而快速硅二极管的Vf仍然是较高的。换句话说，当使用相同的芯片面积时，硅二极管和SiC二极管具有可比的静态损耗。通常SiC芯片尺寸更小，由于额度电流的确考虑到了静态和动态损耗，额定电流，所以带来较小的总损耗，因此缩小了芯片的尺寸。在半导体高功率元件的应用上，不少人试着用它来取代硅。徐汇区碳化硅有哪些品牌

碳化硅中的碳也可用作钢液中所缺乏的碳源补充。黄浦区碳化硅哪里有

碳化硅主要有四大应用领域，即：功能陶瓷、高级耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应，不能算高新技术产品，而技术含量极高 的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。 ⑴ 作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。 ⑵ 作为冶金脱氧剂和耐高温材料。 ⑶ 高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。 主要用途：用于3-12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料。 黄浦区碳化硅哪里有

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